一.实验项目名称亥姆霍兹线圈磁场二.实验目的1
掌握霍尔效应原理测量磁场
测量单匝载流圆线圈和亥姆霍兹线圈轴线上的磁场分布
三.实验原理1
载流圆线圈与亥姆霍兹线圈的的磁场(1)载流圆线圈磁场根据比奥-萨伐尔定律,载流圆线圈在轴线(通过圆心并与线圈平面垂直的直线)上某点磁场强度B为232200)(2xRIRNB式中m10470H为真空磁导率,R为线圈的平均半径,0N为线圈的匝数,I为通过线圈的电流,x为轴线上某点到圆心O的距离
因此它在轴线上磁场分布如图25-1所示
图25-1(2)亥姆霍兹线圈IYXBB所谓亥姆霍兹线圈是两个相同的圆线圈,彼此平行且共轴,通以同方向电流I,理论计算证明:当线圈见距a等于线圈半径时,两线圈合磁场在轴线上(两线圈圆心连线)附近较大范围内是均匀的,如图25-2所示,这种均匀磁场在工程运用和科学实验中应用十分广泛
图25-22
霍尔效应法测磁场(1)霍尔效应法测量原理将通有电流I的导体置于磁场中,且在垂直于电流I与磁场B方向上将产生一个附加电势差,这现象是霍尔1879年首次发现,故称霍尔效应
电势差HU等于霍尔电压
n型半导体,若导体内电流I沿x轴方向流动(有速度为v运动的电子),此时在z轴方向加上强度为B的磁场后,运动着的电子受洛伦兹力BF的作用而偏移、聚集在S平面;同时随着电子向S平面偏移和聚集,在p平面出现等量的正电荷,结果S、P平面之间出现一个电场HE(此电场称之为霍尔电场)
YXBB这个电场反过来阻止电子继续向S平面偏移
当电子受到的洛伦磁力和霍尔电场的反作用力达到平衡时,就不能向S面偏移
在此时S、P平面间形成一个稳定的电压HU(霍尔电压)
(2)霍尔系数、霍尔灵敏度、霍尔电压设材料的长度为l,宽度为b,厚度为d,载流子浓度为n,载流子速度为v,它们与通过材料的电流I有如下关系nevbdI霍尔电压IBKIBRIBUHHHdned式中