双向可控硅 mA 级Ⅲ-<10mA (包括版面 2.11、2.24、2.52、2.66、2.81、3.0、3.28、3.52、3.9) 1. 选用 N 型单晶片，晶向 <1,1,1>面，片厚240-250μ m，电阻率：45-48,48-52.晶圆直径 100mm+0.3mm。2. 激光打标。（1）格式：版面积批号片号（2）字体：字高： 2mm，字间距 80%，仿宋体。（3）要求：字体清晰，与定位面齐平，据定位面边缘1mm 左右。3. 氧化。（1）清洗步骤化剂配比时间要求1号液NH4OH：H2O2：DIH2O=1:2:5 10min 化剂配比正确、 时间正确、温度80-85 ℃冲水DIH2O 10min 时间必须达到要求，冲洗干净，无残留化剂2号液HCl：H2O2：DIH2O =1:2:5 10min 化剂配比正确、 时间正确、温度80-85 ℃冲水DIH2O 10min 时间必须达到要求，冲洗干净，无残留化剂超声5min 冲水DIH2O 10min 时间必须达到要求，冲洗干净，无残留化剂甩干晶圆表面干燥（2）装舟。用硅舟，每槽一片，定位面向上，刻字面向内。编号从炉口到炉尾由大到小排列。（3）进炉。将硅舟缓慢推入石英管道内，放在恒温区中间。（4）运行程序。1150℃ 500 ℃ 500℃ 2h 4.5h 1h 4.5h 2h 2h N2:4L O2:4L 湿 O2:2L O2:4L 湿 O2:2L O 2:4L N 2:4L N2:4L 一次氧化（5）程序结束，出炉。将硅舟缓慢拉至炉口，冷却。放置在净化操作台上。（6）检验。氧化层颜色的一致性，无氧化层发白，发花现象，表面无腐蚀。前中后各取一片测SiO2 层膜厚，厚度在1.6μ m以上。做好记录。（7）装片盒。将氧化好的晶圆按顺序装入氧化专用片盒。4. 镓扩散一、预扩（1）装镓源。将镓源粉末放在承源器内，推入石英管内。（2）装舟。将晶圆装在镓扩用石英舟上， 定位面向上， 每槽一片，刻字面向内。编号从炉口到炉尾由大到小排列。（3）进炉。将石英舟缓慢推至恒温区，盖紧帽子。（4）气密性检查。将石英帽上的气孔和鼓泡瓶连接，观察鼓泡瓶内气泡是否正常。（5）运行程序1205℃ 500℃ 800℃ 500 ℃ 3h 150-200min 2h 2h N2:1.5L/min,H2:140P/min 恒温时间根据实际情况（6）出炉。（7）检验。取出调试片， 用 HF漂去氧化层后， 测 R 口，在 120-140Ω cm，如有不均匀，报告工艺员。二、镓再扩（1）装舟。将晶圆装在镓再扩用硅舟上， 每槽一片， 定位面向上，刻字面向内，从炉尾到炉口由大到小排列。（2）进炉。将硅舟缓慢推入镓再扩用碳化硅管内，盖上帽子。（3）运行程序。1250℃ 600℃ 600℃ 4h 6.5-7.5h 8h N2:4L/min 镓...
