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双向可控硅 mA 级Ⅲ-<10mA (包括版面 2.11、2.24、2.52、2.66、2.81、3.0、3.28、3.52、3.9) 1. 选用 N 型单晶片,晶向 <1,1,1>面,片厚240-250μ m,电阻率:45-48,48-52.晶圆直径 100mm+0.3mm。2. 激光打标。(1)格式:版面积批号片号(2)字体:字高: 2mm,字间距 80%,仿宋体。(3)要求:字体清晰,与定位面齐平,据定位面边缘1mm 左右。3. 氧化。(1)清洗步骤化剂配比时间要求1号液NH4OH:H2O2:DIH2O=1:2:5 10min 化剂配比正确、 时间正确、温度80-85 ℃冲水DIH2O 10min 时间必须达到要求,冲洗干净,无残留化剂2号液HCl:H2O2:DIH2O =1:2:5 10min 化剂配比正确、 时间正确、温度80-85 ℃冲水DIH2O 10min 时间必须达到要求,冲洗干净,无残留化剂超声5min 冲水DIH2O 10min 时间必须达到要求,冲洗干净,无残留化剂甩干晶圆表面干燥(2)装舟。用硅舟,每槽一片,定位面向上,刻字面向内。编号从炉口到炉尾由大到小排列。(3)进炉。将硅舟缓慢推入石英管道内,放在恒温区中间。(4)运行程序。1150℃ 500 ℃ 500℃ 2h 4.5h 1h 4.5h 2h 2h N2:4L O2:4L 湿 O2:2L O2:4L 湿 O2:2L O 2:4L N 2:4L N2:4L 一次氧化(5)程序结束,出炉。将硅舟缓慢拉至炉口,冷却。放置在净化操作台上。(6)检验。氧化层颜色的一致性,无氧化层发白,发花现象,表面无腐蚀。前中后各取一片测SiO2 层膜厚,厚度在1.6μ m以上。做好记录。(7)装片盒。将氧化好的晶圆按顺序装入氧化专用片盒。4. 镓扩散一、预扩(1)装镓源。将镓源粉末放在承源器内,推入石英管内。(2)装舟。将晶圆装在镓扩用石英舟上, 定位面向上, 每槽一片,刻字面向内。编号从炉口到炉尾由大到小排列。(3)进炉。将石英舟缓慢推至恒温区,盖紧帽子。(4)气密性检查。将石英帽上的气孔和鼓泡瓶连接,观察鼓泡瓶内气泡是否正常。(5)运行程序1205℃ 500℃ 800℃ 500 ℃ 3h 150-200min 2h 2h N2:1.5L/min,H2:140P/min 恒温时间根据实际情况(6)出炉。(7)检验。取出调试片, 用 HF漂去氧化层后, 测 R 口,在 120-140Ω cm,如有不均匀,报告工艺员。二、镓再扩(1)装舟。将晶圆装在镓再扩用硅舟上, 每槽一片, 定位面向上,刻字面向内,从炉尾到炉口由大到小排列。(2)进炉。将硅舟缓慢推入镓再扩用碳化硅管内,盖上帽子。(3)运行程序。1250℃ 600℃ 600℃ 4h 6.5-7.5h 8h N2:4L/min 镓...

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