电路保护方法乎所有电子 OEM 领域的功能密度正在日益增长，使宝贵的硅片更易于受到真实世界的损害。采取花钱较少的简单措施，就可以保护您的产品和您公司的声望，还能在极端情况下保护您的客户。 要点 产品的声誉依赖于产品的牢靠性。 在确定一个瞬变保护电路之前，要比较你的电路对漏电流和并联电容的容限。 要将候选保护器件的速度与你打算预防的瞬变的合理模型进行比较。 要提防在没有瞬变源模型和测试方法的情况下就规定瞬变耐受电平的 IC 制造商。单单瞬变耐受电平是不能说明什么问题的。 由于电子行业向作为优势设计工具的小尺寸 CMOS 工艺的演进，业已提高了信号处理与计算性能、能量效率、经济性以及紧凑性，但在面临不可避免的常见电气瞬变危害时同时又使 IC 固有的牢靠性下降。 概括说来，瞬变源可分为闪电、开关、EMP（电磁脉冲）和 ESD（静电放电）四种。在这四种瞬变源中，EMP 很少见，主要由核事件产生。但是，与 EMP 一样，几乎所有电瞬变源都是由存储的能量突然释放产生的。闪电和 ESD 是由静电荷突然释放产生的，而开关瞬变通常是由于存在显式电抗或寄生电抗时电流或电压发生突变，导致静电场或电磁场剧变而产生的。 某一类中的瞬变源往往表现出相同的时域特性。例如，开关瞬变具有周期性的特点，其幅度与重复频率会因某一装置的细节不同而各异。闪电与 ESD 脉冲则是非周期性的，其发生地点超出了大的地理趋势，是不可预测的（图 1）。（TechFlick：图 1 的动画版，显示全球每平方公里每年的闪电数。图形与视频均由 NASA 国际空间科学与技术中心闪电组提供。） 闪电与 ESD 脉冲也是难以测量的，其幅度变化范围很大。各工业部门都开发并推广了各种瞬变源的标准与试验方法。这些标准尽管在一些重要方面（例如电荷存储与源阻抗）可能各有不同，但在瞬变对在其它情况下不会令人怀疑的电路的危害是如何出现的原理上却是一致的（表 1）。这种表格式的数据反映的情况是不全面的：瞬变波形不是方波，但上升时间呈快速指数型，下降时间则是缓慢的指数型，在峰值波幅处几乎没有停留时间。 对于任何易受瞬变影响的给定节点来说，其保护方法必须同时满足几个要求。这种保护方法必须能将被保护节点箝位在安全电位上。因此，一个合适的保护器件因其保护的电路类型不同而有所不同。保护器件对于瞬变上升沿的响应必须足够快，以保持节点电压低于损坏阈值。低电感并联器件和低电容串联组件都有助于满足这一要求...
