分立元件手册VIP免费

附录A：国内外半导体器件命名方法1.中国半导体器件命名法按照国家标准GB-249-74规定的命名方法如表A-1。表A-1国产晶体管型号组成部分的符号及其意义第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用数字表示器件的电极数目用汉语拼音字母表示器件材料与极性用汉语拼音字母表示器件类型用数字表示器件序号用字母表示器件规格号符号意义符号意义符号意义2二极管ABCDN型：锗材料P型：锗材料N型：硅材料P型：硅材料PVWCZLSNUKXGDATYBJCSBTFHPINJG普通管微波管稳压管参量管整流管整流堆隧道管阻尼管光电管开头管低频小功率管（fa<3MHz;Pc<1W）高频小功率管（fc<3MHz;Pc<1W)低频大功率管（fD<3MHz;Pc≥1W）高频大功率管(fa≥3MHz,Pc≥1W)半导体闸流管体效应管雪崩管阶跃恢复管场效应管特殊器件复合管PIN型管激光器件3三极管ABCDEPNP型：锗材料NPN型：锗材料PNP型：硅材料NPN型：硅材料化合物材料示例1：锗PNP型高频小功率三极管3AG11C三极管规格号序号PNP型，锗材料高频小功率2.日本半导体器件命名法日本晶体管型号均按日本工业标准JIS—C—7012规定的日本半导体分立器件型号命名方法命名。日本半导体分立器件型号由五个基本部分组成，这五个基本部分的符号及其意义如表A-2所示。日本半导体分立器件的型号，除上述5个基本部分外，有时还附加有后缀字母及符号，以便进一步说明该器件的特点。这些字母、符号和它们所代表的意义，往往是各公司自己规定的。后缀的第一个字母，一般是说明器件特定用途的。常见的有以下几种：M：表示该器件符合日本防卫厅海上自卫参谋部的有关标准。N：表示该器件符合日本广播协会（NHK）的有关标准。H：是日立公司专门为通信工业制造的半导体器件。K：是日立公司专门为通信工业制造的半导体器件，并用采用塑封外壳。Z：是松下公司专门为通信设备制造的高可靠性器件。G：是东芝公司为通信设备制造的器件。S：是三洋公司为通信设备制造的器件。后缀的第二个字母常用来作为器件的某个参数的分档标志。例如，日立公司生产的一些半导体器件，是用A、B、C、D等标志说明该器件的β值分档情况。表A-2日本晶体管型号组成部分的符号及其意义第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用数字表示器件有效电极数目或类型日本电子工业协会（JEIA）注册标志用字母表示器件使用材料极性和类型器件在日本电子工业协会（JEIA）登记号同一型号的改进型产品标志符号意义符号意义符号意义符号意义符号意义0123n-1光电二极管或三极管及其组合管二极管三极管或具有三个电极的其他器件具有四个有效电极的器件...具有n个有效电极的器件S已在日本电子工业协会（JEIA）注册的半导体器件ABCDFGJKMPNP：高频晶体管NPN：低频晶体管PNP：高频晶体管NPN：低频晶体管P：控制可控硅N：基极单结晶体管P：沟道场效应管N：沟道场效应管双向可控硅多位数字该器件在日本电子工业协会（JEIA）的登记号，性能相同而厂家不同的生产的器件可使用同一个登记号ABCD.....表示这一器件是原型号的改进产品3.欧洲晶体管型号命名法前西德、法国、意大利、荷兰等参加欧洲共同市场的国家和一些东欧诸国如匈牙利、罗马尼亚、波兰等国，大都使用国际电子联合的标准半导体分立器件型号命名方法对晶体管型号命名。这种命名法由四个基本部分组成。这四个基本部分的符号及其意义如表11-19所示。表A-3欧洲晶体管型号组成部分的符号及其意义第一部分第二部分第三部分第四部分用数字表示器件使用的材料用字母表示器件的类型及主要特征用数字或字母表示登记号用字母表示同一器件进行分档符号意义符号意义符号意义符号意义符号意义A器件使用禁带为0.6~1.0电子伏特的半导体材料如锗料A检波二极管开关二极管混频二极管M封闭磁路中霍尔元件三位数字代表通用半导体器件的登记号ABC......表示同一型号的半导体器件按某一参数进行分档的标志B变容二极管P光敏器件管（fa≥3）B器件合作禁带为1.0~1.3电子伏特的半导体材料如硅C低频小功率三极管Rtj﹥15℃/WQ发光二极管D低频大功率三极管Rtj﹥15℃/WR小功率可控硅Rtj﹥15℃/WC器件使用禁带大于1.3电子伏特的半导体材料如镓E隧道二极管S小功率功率开关管Rtj﹥15℃/WF高频小功率三极管Rtj﹥15...