《模拟电子技术》经典习题(有图详细分析版)VIP免费

项目一 习题参考答案1. PN 结正向偏置时是指 P 区接电源的正极，N 区接电源的负极。2. 在常温下，硅二极管的死区电压约为 0.5V，导通后正向压降约为 0.6 ～ 0.8 V ；锗二极管的死区电压约为 0.1V，导通后正向压降约为 0.2 ～ 0.3 V。3. 三极管按结构分为 NPN 型和 PNP 型；按材料分为硅管和锗管。三极管是电流控制型器件，控制能力的大小可用表示，它要实现信号放大作用，需发射结正偏，集电结反偏。4. 场效应管是电压控制型器件，控制能力的大小可用 g m 表示，它的主要特点是输入电阻很大。5. 能否将 1.5V 的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能，因为二极管正向电阻很小，若将 1.5V 的干电池以正向接法接到二极管两端会使得电路中的电流很大，相当于干电池正、负极短路。6. 分析图 1.52 所示电路中各二极管是导通还是截止，并求出 A、B 两端的电压 UAB(设VD 为理想二极管，即二极管导通时其两端电压为零，反向截止时电流为零)。图 1.52 题 6 图解：（a）VD 导通，UAB=-6V。（b）VD 截止，UAB=-12 V。（c）VD1 导通，VD2 截止，UAB=0 V。（d）VD1 截止， VD2 导通，UAB=-15 V。7. 在图 1.53 所示电路中，设 VD 为理想二极管，ui =6sin t (V)，试画出 uO 的波形。图 1.53 题 7 图解：（a）（b）8. 电路如图 1.54 所示，已知 ui=5sin t(V)，二极管导通电压为 0.7V。试画出 ui 与的波形。解：ui>3.7V 时，VD1 导通，VD2 截止，uo=3.7V；3.7V >ui>-4.4V 时，VD1 截止，VD2 截止，uo= ui ；ui<-4.4V 时，VD1 截止，VD 导通，uo= -4.4 V。9. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如图 1.55 所示，试判别各三极管的工作状态。图 1.54 题 8 图图 1.55 题 9 图解：（a）三极管已损坏，发射结开路 （b）放大状态 （c）饱和状态（d）三极管已损坏，发射结开路10. 测得放大电路中六只晶体管的电位如图 1.56 所示。在圆圈中画出管子，并说明它们是硅管还是锗管。图 1.56 题 10 图解：11. 为什么场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻要高很多？解：栅、源极间的输入电阻从本质上来说是 PN 结的反向电阻。12. 图 1.57 所示符号各表示哪种沟道 JFET？其箭头方向代表什么？图 1.57 题 12 图解：（a）N 沟道 JFET，（b）P 沟道 JFET箭头的方向表示 PN 结正偏的方向，即由 P 指向 N13. 试分别画出 N 沟...