第七章 PECVD 工艺 7
1 CVD 工序的目的 7
2 CVD 工艺的基本原理 7
3 CVD 的设备构成和主要性能指标 7
4 CVD 工序的主要工艺参数和工艺质量评价 7
5 特种气体供应管理系统 7
1 CVD 工序的目的 7
1 CVD目的 在一定压强、温度条件下输入高频电压使气体源电离形成等离子体，在基板表面发生气相化学反应，生长出各种功能薄膜
A(g) + B(g) energy C(s) + 副产物 7
1 CVD film介绍 Film Gas G-SiNX（GH&GL） SiH4+NH3+H2 a-Si（AH&AL） SiH4+H2 n＋a-Si（NP） SiH4+PH3+H2 P-SiNX（PV） SiH4+NH3+H2 7
2各层薄膜的功能 1
G: Gate SiNx （绝缘层） 作用：防止M1与I层导通 2
a-Si （半导体） 作用：导通层，电子在该层产生 3
N: N+ a-Si （掺杂半导体） 作用：降低界面电位差，降低I层与M2之间的电位差 4
Passivation (保护层) 作用：该层的作用是保护M2，防止其发生氧化，腐蚀 7
3生成各层的化学反应原理 （1）SiNX:H SiH4 + NH3 + N2 → SiNX: H （2） a-Si:H SiH4 + H2 → a-Si:H （3）n＋a-Si:H SiH4 + PH3 + H2 →n＋a-Si:H 7
2 CVD 工艺的基本原理 通过前一章节的学习，我们应该对 CVD 的功能有了一定的了解，其实自从CVD 镀膜技术被发现至今，已经得到了很大的发展，已经衍生出许多不同类型的 CVD 成膜方式
按反应室内压力分： APCVD: Atmospheric pressure CVD SACVD: Sub Atmospheric pressu
