第九章PHOTO 工序 9.1 PHOTO 工序的目的 9.1.1PHOTO 的基本概念 什么是PHOTO?若是从一个液晶厂内部部门来说，PHOTO 指的是黄光部。但是从工艺来说，在半导体和液晶产业，PHOTO 指光刻技术。当然，这两个概念是有实质联系的，因为在液晶厂内负责光刻方面工作的就是黄光部。 9.1.2PHOTO 工序的目的 PHOTO 工序的目的是把膜层电路结构复制到以后要蚀刻的玻璃基板上。主要过程依次如下面图（一），图（二）和图（三）所示。 图（一） 图（二） 图（三） PHOTO 工序主要包含三大步骤，即上图所示的光阻涂布（PR coating） ; 曝光（Ex posu re）;和显影（Dev elop）. 光阻涂布（如图一），就是在plate（玻璃基板）上涂布光阻。光阻是一种对特定波长的UV 光敏感的有机材质，遇到一定强度的UV 光就会发生化学反应，所以 PHOTO 工序要在黄光下进行。因为黄光波长大，光子能量低，强度比较弱（不会引起光阻化学反应）并且照明效果不错的光。 光阻涂布制程主要控制光阻的膜厚及其均一性。 曝光（Ex posu re）是PHOTO 的关键，也是ARRAY 的关键。之前说了 PHOTO是把膜层电路结构复制到以后要蚀刻的玻璃基板上。临时电路结构就设计在MASK（光罩）上，光罩上有电路结构区域不透光，没有电路结构区域可以透光。这样就使上一步骤涂布的光阻经过曝光工序之后，电路结构就从光罩转移到光阻上。 曝光（Ex posu re）制程的主要参数是CD（线宽）,Total pitch, Ov erlay 。 Dev elop 即显影。经过 Ex posu re 之后在玻璃基板上喷洒显影液，因为显影液为碱性，对正性光阻而言，被紫外光照射过的光阻可以溶解在碱性显影液中，而未紫外光照射到的部分不溶于显影液。因此，显影之后，在玻璃基板上，只剩下电路部分有光阻，而其它区域无光阻（注：本节所指光阻为正光阻，一般 TFT段都使用正光阻）。 显影液浓度的控制是显影工艺的关键，浓度的高低会影响到线宽。 显影后送去蚀刻，这样有光阻保护部分（即需要的电路部分）的膜不会被蚀刻掉，而没有光阻保护部分的膜就被蚀刻掉。这样即形成所需要的电路的。 当然，PHOTO 除了上面所述的光阻涂布，曝光和显影之外，还有其它几方面工序组成，如基板进入 Photo 制程后首先需要清洗（Cleaner）,如分布在各个环节的烘烤（Bake）.下面简述一下 PHOTO 工序中的清洗和各个烘烤。在第一层需要刻号（Titler）等。 Cleaner 即清洗工艺，目的为了在Coater 之前基板表面达到洁...
