1半导体器件复习练习题(二极管、三极管、场效应管、差动放大电路、集成运放)VIP专享VIP免费

半导体基本知识和 半导体器件（二极管、三极管、场效应管、集成运放） 一、选择题： 1、PN 结外加正向电压时，其空间电荷区（ ）。 A.不变 B.变宽 C.变窄 D.无法确定 2、PN 结外反正向电压时，其空间电荷区（ ）。 A.不变 B.变宽 C.变窄 D.无法确定 3、当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流 Is 将增大，是因为此时 PN 结内部的（ ） A. 多数载流子浓度增大 B. 少数载流子浓度增大 C. 多数载流子浓度减小 D. 少数载流子浓度减小 4、PN 结反向向偏置时，其内电场被（ ）。 A.削弱 B.增强 C.不变 D.不确定 5、在绝对零度（0K）和没有外界激发时，本征半导体中( ) 载流子。 A.有 B.没有 C.少数 D.多数 6、 集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（ ）。 A． 减小温漂 B. 增大放大倍数 C. 提高输入电阻 D. 减小输出电阻 7、以下所列器件中，（ ）器件不是工作在反偏状态的。 A、光电二极管 B、发光二极管 C、变容二极管 D、稳压管 8、当晶体管工作在放大区时，（ ）。 A. 发射结和集电结均反偏 B.发射结正偏，集电结反偏 C. 发射结和集电结均正偏 D.发射结反偏，集电结正偏 9、稳压二极管稳压时，其工作在( )， A．正向导通区 B．反向截止区 C．反向击穿区 D.不确定 10、抑制温漂（零漂）最常用的方法是采用（ ）电路。 A.差放 B.正弦 C.数字 D.功率放大 11、在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为 0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（ ）。 A．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 12、某场效应管的转移特性如右图所示 ，该 管为（ ）。 A．P 沟 道 增强型MOS 管 B.P 沟 道 结型场效应管 C.N 沟 道 增强型MOS 管 D.N 沟 道 耗 尽 型MOS 管 13、通用型集成运放的输入级采用差动 放大电路，这是因为它 的（ ）。 A．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共 模 抑制比 大 D.电压放大倍数大 14、如右图所示 复 合 管，已 知V1 的1 = 30，V2 的2 = 50，则复 合 后 的约 为（ ）。 A．1500 B.80 C.50 D.30 15、发光二极管发光时，工作在( )。 A．正向导通区 B．反向截止区 C．反向击穿区 D．不确定 16、当温度升高时，二极管反向饱和电流将（ ） A. 增大 B. 减小 C. 不变 D. 等 于 零 17、场效应管起 放大作用时应工作在漏 极特性的（...