Nand flash 芯片工作原理 ------------------------------------ Nand flash 芯片型号为Samsung K9F1208U0B,数据存储容量为64MB,采用块页式存储管理
8 个I/O 引脚充当数据、地址、命令的复用端口
芯片内部存储布局及存储操作特点: 一片Nand flash为一个设备(device), 其数据存储分层为: 1 (Device) = 4096 (Blocks) 1 (Block) -= 32 (Pages/Rows) 页与行是相同的意思,叫法不一样 1 (Page) = 528 (Bytes) = 数据块大小(512Bytes) + OOB 块大小(16Bytes) 在每一页中,最后 16 个字节(又称 OOB)用于 Nand Flash 命令执行完后设置状态用,剩余512 个字节又 分为前半部分和后半部分
可以通过 Nand Flash 命令 00h/01h/50h 分别对前半部、后半部、OOB 进行定位通过 Nand Flash 内置的指针指向各自的首地址
存储操作特点: 1
擦除操作的最小单位是块
Nand Flash 芯片每一位(bit)只能从 1 变为0,而不能从 0 变为1,所以在对其进行写入操作之前要一定将相应块擦除(擦除即是将相应块得位全部变为1)
OOB 部分的第六字节(即 517 字节)标志是否是坏块,如果不是坏块该值为FF,否则为坏块
(转载注:应该是每块的第一页的第六个字节
除 OOB 第六字节外,通常至少把 OOB 的前 3 个字节存放 Nand Flash 硬件 ECC 码 NAND FLASH 的工作原理 - to beginner 2007-04-23 23:43 NAND FLASH 是一种大容量、高速的存储技术
其接口较为简单,如果没