Nand flash 芯片工作原理 ------------------------------------ Nand flash 芯片型号为Samsung K9F1208U0B,数据存储容量为64MB,采用块页式存储管理。8 个I/O 引脚充当数据、地址、命令的复用端口。 芯片内部存储布局及存储操作特点: 一片Nand flash为一个设备(device), 其数据存储分层为: 1 (Device) = 4096 (Blocks) 1 (Block) -= 32 (Pages/Rows) 页与行是相同的意思,叫法不一样 1 (Page) = 528 (Bytes) = 数据块大小(512Bytes) + OOB 块大小(16Bytes) 在每一页中,最后 16 个字节(又称 OOB)用于 Nand Flash 命令执行完后设置状态用,剩余512 个字节又 分为前半部分和后半部分。可以通过 Nand Flash 命令 00h/01h/50h 分别对前半部、后半部、OOB 进行定位通过 Nand Flash 内置的指针指向各自的首地址。 存储操作特点: 1. 擦除操作的最小单位是块。 2. Nand Flash 芯片每一位(bit)只能从 1 变为0,而不能从 0 变为1,所以在对其进行写入操作之前要一定将相应块擦除(擦除即是将相应块得位全部变为1). 3. OOB 部分的第六字节(即 517 字节)标志是否是坏块,如果不是坏块该值为FF,否则为坏块。(转载注：应该是每块的第一页的第六个字节。) 4. 除 OOB 第六字节外,通常至少把 OOB 的前 3 个字节存放 Nand Flash 硬件 ECC 码 NAND FLASH 的工作原理 - to beginner 2007-04-23 23:43 NAND FLASH 是一种大容量、高速的存储技术。 其接口较为简单，如果没有专门的 nand flash控制器，甚至可以用io口与之对接。 其编程也相对简单，只要了解如下关键概念就可以： 1.nand flash内部有管理单元，管理单元负责对 nand flash的实际单元的操作。 2.我们使用nand flash其实只需要和管理单元通信即可，主要是发送相关的命令给管理单元。 3.类似磁盘的管理制度，nand flash也是由若干 bit构成一个page，若干 page构成一个block， 若干block构成一个plane，我们在操作的时候往往以page为基本的操作对象。 4.nand flash的page单元有可能是有错误的，因此需要对存入的数据加上错误识别，以辨别 某个page单元是坏的。请注意，一个page单元往往最多仅有两个bit错误，所以对于错误识别 算法要求不是很高，只要能识别 1，2个bit的算法即可。使用阵列奇偶校验很容易实现此算法。 nand flash控制器其实只是集成了相关的控制时序，在使用时通过操作nand flash...
