各厂商内存芯片编号 内存打假的方法除了识别内存标注格式外，还可以利用刻在内存芯片上的编号。内存条上一般有多颗内存芯片，内存芯片因为生产厂家的不同，其上的编号也有所不同。 由于韩国 HY 和 SEC 占据了世界内存产量的多半份额，它们产的内存芯片质量稳定，价格不高，另外市面上还流行 LGS、Kingmax、金邦金条等内存，先来看看它们的内存芯片编号。 （1）HYUNDAI（现代） 现代的 SDRAM 内存兼容性非常好，支持 DIMM 的主板一般都可以顺利的使用它，其 SDRAM 芯片编号格式为：HY 5a b cde fg h i j k lm-no 其中 HY 代表现代的产品；5a 表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM)；b 代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde 代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg 代 表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32 分别代表 4 位、8 位、16 位和 32 位）；h 代表内存芯片内部由几个 Bank 组成（1、2、3 分别代表 2 个、4 个和 8 个 Bank，是 2 的幂次关系）；I 代表接口（0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕接口）；j 代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D 等字母，越往后代表内核越新）；k 代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；lm 代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-II，TD=13mm TSOP-II，TG=16mm TSOP-II）；no 代表速度（7=7ns〔143MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，10p=10ns〔PC-100 CL2 或3〕，10s=10ns〔PC-100 CL3〕，10=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=5ns〔66MHz〕）。 例如HY57V658010CTC-10s，HY 表示现代的芯片，57 代表 SDRAM，65 是64Mbit 和 4K refresh cycles/64ms，8 是 8 位输出，10 是 2 个 Bank，C 是第4个版本的内核，TC 是 400mil TSOP-Ⅱ封装，10S 代表 CL=3 的 PC-100。 市面上 HY 常见的编号还有 HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中 ATC10 编号的 SDRAM 上 133MHz相当困难；编号 ATC8 的可超到124MHz，但上 133MHz也不行；编号 BTC 或-7、-10p 的 SDRAM 上 133MHz很稳定。一般来讲，编号最后两位是 7K 的代表该内存外频是 PC100，75 的是PC133 的，但现代内存目前尾号为 75 的早已停产，改 换为 T-H 这样的尾号，可市场上 ...
