一、名词解释(本大题共5题每题4分,共20分)1.直接复合:导带中的电子越过禁带直接跃迁到价带,与价带中的空穴复合,这样的复合过程称为直...
半导体物理习题解答1-1.(P32)设晶格常数为a的一维晶格,导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量Ev(k)分别为:Ec(k)=+和Ev(k)...
第一篇半导体中的电子状态习题1-1、什么叫本征激发?温度越高,本征激发的载流子越多,为什么?试定性说明之。解:在一定温度下,价带电子...
学校代码:10289分类号:TN606密级:公开学号:103030005江苏科技大学专业硕士学位论文(在职攻读专业学位)半导体铜线键合工艺研究研究生...
1第二章半导体三极管及其基本电路一、填空题1、(2-1,中)当半导体三极管的正向偏置,反向偏置偏置时,三极管具有放大作用,即极电流能控制...
半导体三极管及其放大电路一、选择题1.晶体管能够放大的外部条件是_________a发射结正偏,集电结正偏b发射结反偏,集电结反偏c发射结正偏,...
半导体器件原理简明教程习题答案傅兴华1.1简述单晶、多晶、非晶体材料结构的基本特点.解整块固体材料中原子或分子的排列呈现严格一致周期性...
半导体器件物理施敏课后答案【篇一:半导体物理物理教案(03级)】>学院、部:材料与能源学院系、所;微电子工程系授课教师:魏爱香,张海燕...
第一章PN结1.1PN结是怎么形成的?耗尽区:正因为空间电荷区内不存在任何可动的电荷,所以该区也称为耗尽区。空间电荷边缘存在多子浓度梯度...
2-1.结空间电荷区边界分别为和,利用导出表达式。给出N区空穴为小注入和大注入两种情况下的表达式。解:在处而()(此为一般结果)小注入:...
第一章半导体器件基础测试题(高三)姓名班次分数一、选择题1、N型半导体是在本征半导体中加入下列物质而形成的。A、电子;B、空穴;C、三...
1ActiveArea主动区(工作区)主动晶体管(ACTIVETRANSISTOR)被制造的区域即所谓的主动区(ACTIVEAREA)。在标准之MOS制造过程中ACTIVEAREA...