Spice器件模型VIP免费

SPICE 的器件模型大全 在介绍SPICE 基础知识时介绍了最复杂和重要的电路描述语句，其中就包括元器件描述语句。许多元器件（如二极管、晶体管等）的描述语句中都有模型关键字，而电阻、电容、电源等的描述语句中也有模型名可选项，这些都要求后面配以.MODEL 起始的模型描述语句，对这些特殊器件的参数做详细描述。电阻、电容、电源等的模型描述语句语句比较简单，也比较容易理解，在SPICE 基础中已介绍，就不再重复了；二极管、双极型晶体管的模型虽也做了些介绍，但不够详细，是本文介绍的重点，以便可以自己制作器件模型；场效应管、数字器件的模型过于复杂，太专业，一般用户自己难以制作模型，只做简单介绍。 元器件的模型非常重要，是影响分析精度的重要因素之一。但模型中涉及太多图表，特别是很多数学公式，都是在W ORD 下编辑后再转为 JEPG 图像文件的，很繁琐和耗时，所以只能介绍重点。 一、二极管模型： 1.1 理想二极管的I-V 特性： 1.2 实际硅二极管的I-V 特性曲线：折线 1.3 D C 大信号模型： 1.4 电荷存储特性： 1.5 大信号模型的电荷存储参数 Qd： 1.6 温度模型： 1.7 二极管模型参数表： 二、双极型晶体管BJT 模型： 2.1 Ebers-Moll 静态模型：电流注入模式和传输模式两种 2 .1 .1 电流注入模式： 2.1.2 传输模式： 2.1.3 在不同的工作区域，极电流 Ic Ie 的工作范围不同，电流方程也各不相同： 2.1.4 Early 效应：基区宽度调制效应 2.1.5 带Rc、Re、Rb 的传输静态模型： 正向参数和反向参数是相对的，基极接法不变，而发射极和集电极互换所对应的两种状态，分别称为正向状态和反向状态，与此对应的参数就分别定义为正向参数和反向参数。 2.2 Ebers-Moll 大信号模型： 2.3 Gu mmel-Pool 静态模型： 2.4 Gummel-Pool 大信号模型：拓扑结构与 Ebers-Moll 大信号模型相同，非线性存储元件电压控制电容的方程也相同 2.5 BJT 晶体管模型总参数表： 三、 金属氧化物半导体晶体管 MOSFET 模型： 3.1 一级静态模型：Shichman-Hodges 模型 3.2 二级静态模型（大信号模型）：Meyer 模型 3.2.1 电荷存储效应： 3.2.2 PN 结电容： 3.3 三级静态模型： 3.2 MOSFET 模型参数表： 一级模型理论上复杂，有效参数少，用于精度不高场合，迅速粗略估计电路 二级模型可使用复杂程度不同的模型，计算较多，常常不能收敛 三级模型精度与二级模型相同，计算时...