LCD 洗净工艺Inline PR 工艺技术1-洗净 1 第一章 基板洗净技术 一、污染物的分类 二、洗净工艺的发展 三、各种洗净方式原理 四、**生产线线的洗净装置 五 **生产线建线时实验数据与工艺条件的确定 六、**生产线洗净装置洗净能力实验 七、**生产线的洗净装置简介 八、未来的液晶与半导体可能采用的洗净工艺 TFT 液晶制程以及半导体IC 制程主要以二十世纪五十年代以后发明的四项基础工艺 (离子注入、扩散、外延生长及光刻)为基础逐渐发展起来,由于集成电路内各组件及连线 相当微细,因此制造过程中,如果遭到尘粒、金属的污染,很容易造成内部电路功能的损坏, 形成短路或断路等,导致几何特征发生改变,或者电器特性发生不良变化。因此在制作过程 中除了要排除外界的污染源外,集成电路制造步骤本身也需要进行湿法清洗或干法清洗工 作。干、湿法清洗工作是在不破坏基板表面特性及电特性的前提下,有效地使用化学溶液、 气体或光照等手段清除残留在基板上的微尘、金属离子及有机物等杂质 。 一. 污染物杂质分类 液晶与半导体IC 制程是在人的参与下在净化室中进行,基板制程的每一个步骤,包括沉 积(溅射)、蚀刻、去光阻、氧化等,都是造成基板表面污染的来源,因而需要反复的清洗。 根据污染物发生的情况,大致可将污染物分为颗粒、有机物、金属污染物及氧化物。 1.颗粒(Particle) 颗粒主要是一些聚合物、光致抗蚀剂和蚀刻杂质等。通常颗粒粘附在基板表面,影响 下一工序几何特征的形成及电特性。根据颗粒与表面的粘附情况分析,粘附力表现出多样化, 如范德瓦尔斯吸引力(Van der waals force)、电偶极力(Electrostatic force)、毛细力 ( Capillary force)、化学键合力(Chemical bond)以及表面地形力(Surface topography force)等,但是最主要的还是范德瓦尔斯力,所以对颗粒的去除方法主要以物理或化学的 方法对颗粒进行底切,逐渐减小颗粒与基板表面的接触面积,最终将其去除。 2.有机物 有机物杂质以多种形式存在,如人的皮肤油脂、净化室空气、机械油、硅树脂真空脂、 光致抗蚀剂、清洗溶剂等。每种污染物对IC 制程都有不同程度的影响,通常在基板表面形 成有机物薄膜阻止清洗液到达基板表面,并且造成光刻胶与基板的浸润性变差。因此有机物 的去除常常在清洗工序的第一步进行。 Inline PR 工艺技术1-洗净 2 3. 金属污染物 IC 电路制造过程中采用金属互连材料...