LCD 洗净工艺Inline PR 工艺技术1－洗净 1 第一章 基板洗净技术 一、污染物的分类 二、洗净工艺的发展 三、各种洗净方式原理 四、**生产线线的洗净装置 五 **生产线建线时实验数据与工艺条件的确定 六、**生产线洗净装置洗净能力实验 七、**生产线的洗净装置简介 八、未来的液晶与半导体可能采用的洗净工艺 TFT 液晶制程以及半导体IC 制程主要以二十世纪五十年代以后发明的四项基础工艺 （离子注入、扩散、外延生长及光刻）为基础逐渐发展起来,由于集成电路内各组件及连线 相当微细，因此制造过程中，如果遭到尘粒、金属的污染，很容易造成内部电路功能的损坏， 形成短路或断路等，导致几何特征发生改变，或者电器特性发生不良变化
因此在制作过程 中除了要排除外界的污染源外，集成电路制造步骤本身也需要进行湿法清洗或干法清洗工 作
干、湿法清洗工作是在不破坏基板表面特性及电特性的前提下，有效地使用化学溶液、 气体或光照等手段清除残留在基板上的微尘、金属离子及有机物等杂质
一． 污染物杂质分类 液晶与半导体IC 制程是在人的参与下在净化室中进行，基板制程的每一个步骤，包括沉 积（溅射）、蚀刻、去光阻、氧化等，都是造成基板表面污染的来源，因而需要反复的清洗
根据污染物发生的情况，大致可将污染物分为颗粒、有机物、金属污染物及氧化物
1．颗粒（Particle） 颗粒主要是一些聚合物、光致抗蚀剂和蚀刻杂质等
通常颗粒粘附在基板表面，影响 下一工序几何特征的形成及电特性
根据颗粒与表面的粘附情况分析，粘附力表现出多样化， 如范德瓦尔斯吸引力（Van der waals force）、电偶极力（Electrostatic force）、毛细力 （ Capillary force）、化学键合力（Chemical bond）以及表面地形力（Surface topography force
