LED 主要参数与特性 LED是一种特别的二极管,当连接最电的时候就会发出光,通常被用在电子器具来显示电路是否关闭或打开的指示灯,透明的环氧半导体晶片 LED环氧围封下伸出的那两条线或者"灯泡"显示出 LED应怎样加连接到电路,LED导线的负极是以两种方法来显示,一种是由灯泡的平面,第二种是两条线当中短的那条线,负极导线应连接到电池负端,LED运行电压相对很低大约只有 1到 4伏电压,吸取的电流也大约只有 10到 40毫安.发光二极管最重要的一部分就是在灯泡中央的半导体晶片,晶片有两个由接口分离的区域,P区域是由正电荷控制,而n区域是由负电荷控制,这个接口充当了P和 n电子流动的挡板,只有当半导体晶片的电压足够时,电流才开时流动和电子穿过接口进入到 P区域。 LED 是利用化合物材料制成pn 结的光电器件。它具备pn 结结型器件的电学特性：I-V 特性、C-V 特性和光学特性：光谱响应特性、发光光强指向特性、时间特性以及热学特性。 1、LED 电学特性 1.1 I-V 特性 表征 LED 芯片 pn 结制备性能主要参数。LED 的 I-V 特性具有非线性、整流性质：单向导电性，即外加正偏压表现低接触电阻，反之为高接触电阻。 如左图： (1) 正向死区：（图 oa 或 oa′段）a 点对于 V0 为开启电压，当 V＜Va，外加电场尚克服不少因载流子扩散而形成势垒电场，此时 R 很大；开启电压对于不同 LED 其值不同，GaAs为 1V，红色 GaAsP 为 1.2V，GaP 为 1.8V，GaN 为2.5V。 （2）正向工作区：电流IF 与外加电压呈指数关系 IF = IS (e qVF/KT –1) -------------------------IS 为反向饱和电流 。 V＞0 时，V＞VF 的正向工作区IF 随VF 指数上升 IF = IS e qVF/KT （3）反向死区 ：V＜0 时pn 结加反偏压 V= - VR 时，反向漏电流IR（V= -5V）时，GaP 为0V，GaN 为10uA。 （4）反向击穿区 V＜- VR ，VR 称为反向击穿电压；VR 电压对应IR 为反向漏电流。当反向偏压一直增加使V＜- VR 时，则出现IR 突然增加而出现击穿现象。由于所用化合物材料种类不同，各种LED 的反向击穿电压VR 也不同。 1.2 C-V 特性 鉴于LED 的芯片有9×9mil (250×250um) ，10×10mil ，11×11mil (280×280um)，12×12mil (300×300um)，故pn 结面积大小不一，使其结电容（零偏压）C≈n+pf 左右。 C-V 特性呈二次函数关系（如图2）。由1MHZ 交流信号用C-V 特性测试仪测得。 1.3 最大允许功耗PF...
