第 1 章 常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。(1) 在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。 ( √ ) (2) 因为 N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × ) (3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( √ ) (4) 处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( × ) (5) 结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其GSR大的特点。 ( √ ) (6) 若耗尽型 N 沟道 MOS 管的GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。( × ) 二、选择正确答案填入空内。(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A.变窄 B.基本不变 C.变宽(2) 稳压管的稳压区是其工作在 C 。A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿(3) 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏(4) UGS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。A. 结型管 B.增强型 MOS 管 C.耗尽型 MOS 管三、写出 图 Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD=0.7 V。图 T1.3 解： UO1=1.3 V, UO2=0V, UO3=-1.3 V, UO4=2V, UO5=1.3 V, UO6=-2 V。四、已知稳压管的稳压值UZ=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。求 图 Tl.4所示电路中 UO1和UO2各为多少伏。 (a) (b) 图 T1.4 解： 左图中稳压管工作在击穿状态，故UO1=6V。右图中稳压管没有击穿，故UO2=5V。五、电路如 图 T1.5 所示， VCC=15V， =100，UBE=0.7 V。试问： (1)Rb=50k时， Uo=? (2)若 T 临界饱和，则Rb=?解： (1)26BBBEBbVUIAR，2.6CBIImA, 2OCCCcUVI RV 。图 T1.5 (2) 2.86CCBECScVUImAR，/28.6BSCSIIA∴45.5BBBEbBSVURkI六、测得某放大电路中三个MOS 管的三个电极的电位如表 Tl.6所示，它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态（截止区、恒流区、可变电阻区），并填入表内。表 T1.6 管号UGS(th)/VUS/V UG/V UD/V 工作状态T14 -5 1 3 恒流区T2-4 3 3 10 截止区T3-4 6 0 5 可变电阻区解： 因为三只管子均有开启电压，所以它们均为增强型MOS 管。根据表中所示各极电位可判断出它们各自的工作状态，如表 Tl.6最后一栏所示。习题1.1 选择合适答案填入空内。(l) 在本征半导体中加入(...
