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《模拟电子技术与应用》试题(1) 一、填空 (16 分)1．半导体二极管的主要特性是___________ 。2．三极管工作在放大区时，发射结为____ 偏置，集电结为_____偏置；工作在饱和区时发射结为 ___偏置，集电结为____偏置。3．当输入信号频率为f L 和 f H时，放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍，或者是下降了 __dB，此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为_____ 。4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈； 为降低放大电路输出电阻，应引入 _____反馈。5．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ =____ 、静态时的电源功耗PDC =______ 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到_____，但这种功放有______失真。6．在串联型稳压电路中，引入了——负反馈；为了正常稳压， 调整管必须工作在____区域。二、选择正确答案填空(24 分)1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是 ( ) 。A．NPN 型硅管 B ．NPN 型锗管 C．PNP 型硅管 D．PNP 型锗管2．某场效应管的转移特性如图１所示，该管为( ) 。A．P 沟道增强型MOS管B．P 沟道结型场效应管C．N沟道增强型MOS管D．N沟道耗尽型MOS管3．在图示 2 差分放大电路中，若uI = 20 mV ，则电路的 ( )。A．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为10 mV。B．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为20 mV。C．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为10 mV。D．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为20 mV。4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的( ) 。A．输入电阻高 B ．输出电阻低 C．共模抑制比大 D．电压放大倍数大5．在图示电路中,R i 为其输入电阻，RS为常数，为使下限频率f L 降低，应 ( )。A．减小 C，减小 Ri B ．减小 C，增大 RiC．增大 C，减小 Ri D ．增大 C，增大 Ri6．如图所示复合管，已知V1的 b 1 = 30 ，V2的 b 2 = 50 ，则复合后的 b 约为( )。A．1500 B．80 C ．50 D． 307．RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成, 即 RC串并联选频网络和( )。A．基本共射放大电路 B ．基本共集放大电路C．反相比例运算电路 D．同相比例运算电路8．已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示，该电路可能是( )。A．积分运算电路 B．微分运算电路 C．过零比较器 D．滞回比较器三、两级放大电路如图所示，已知三极管的参...