MOSFET参数理解及导通,功耗分析VIP免费

根据电源谷网站文章整理 总20 页 第１页MOSFET datasheet 参数理解及其主要特性 来源:电源谷 作者:Blash 下文主要介绍 mosfet 的主要参数，通过此参数来理解设计时候的考量 一、场效应管的参数很多，一般 datasheet 都包含如下关键参数： 1 极限参数： ID ：最大漏源电流。是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过 ID 。此参数会随结温度的上升而有所减额。 IDM ：最大脉冲漏源电流。此参数会随结温度的上升而有所减额。 PD ：最大耗散功率。是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于 PDSM 并留有一定余量。此参数一般会随结温度的上升而有所减额。 VGS ：最大栅源电压。 Tj ：最大工作结温。通常为 150 ℃ 或 175 ℃ ，器件设计的工作条件下须确应避免超过这个温度，并留有一定裕量。 TSTG ：存储温度范围。 2 静态参数 V(BR)DSS ：漏源击穿电压。是指栅源电压 VGS 为 0 时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于 V(BR)DSS 。 它具有正温度特性。故应以此参数在低温条件下的值作为安全考虑。 △ V(BR)DSS/ △ Tj ：漏源击穿电压的温度系数，一般为 0.1V/ ℃。 RDS(on) ：在特定的 VGS （一般为 10V ）、结温及漏极电流的条件下， MOSFET 导通时漏源间的最大阻抗。它是一个非常重要的参数，决定了 MOSFET 导通时的消耗功率。 此参数一般会随结温度的上升而有所增大。 故应以此参数在最高工作结温条件下的值作为损耗及压降计算。 VGS(th) ：开 启 电压（阀 值电压）。当 外 加栅极控 制 电压 VGS 超过 VGS(th) 时，漏区 和源区 的表 面 反 型 层 形 成 了连 接 的沟 道 。应用中 ，常将 漏极短 接 条件下 ID 等 于 1 毫 安时的栅极电压称 为开 启 电压。此参数一般会随结温度的上升而有所降低。 IDSS ：饱 和 漏源电流，栅极电压 VGS=0 、 VDS 为一定值时的漏源电流。一般在微 安级 。 IGSS ：栅源驱 动 电流或反 向 电流。由 于 MOSFET 输 入 阻抗很大， IGSS 一般在纳 安级 。 3 动 态参数 gfs ：跨 导。是指漏极输 出 电流的变化 量与 栅源电压变化 量之 比 ，是栅源电压对 漏极电流控 制 能力 大小的量度。 gfs 与 VGS 的转 移 关系...