Flash失效案例分析VIP免费

目录1.Flash简介2.几种失效情况及实例-Flashmemory包含NOR和NAND。-NORFlash主要用在DT/NB/Server上BIOS芯片，用于存储Code-NANDFlash用于SSD、memorycards、U盘、数码相机内存卡、移动电话等存储模块，用于存储Data-例如：在数码相机里，NORFlash存放内部软件，NANDFlash存图片。1.Flash简介NORandNANDFlashMemoryArrayStructureCellBCellACellCCellACellBCellCNORcellSingleHouseNANDcellApartmentMXICPackageType(Picture)MemoryCellArrayPeripheralPadHighdensityflashLowdensityflashInsideFlashDieWafer成品2.几种失效情况及实例Gatedisturb和draindisturb当读写某个wordline时，其他没有选中的wordline上的cells会被读写电压影响，造成floatgate内电荷的变化。一般program/write造成的disturb更大一些，因此在测试flash的时候需要反复program/read（不同读写电压下），检查disturb是否会造成多次写之后的读错误.SourceDrainGateBody(P-type)SourceDrainGateBody(P-type)SiO2SiO2Poly-Si何謂FloatingGate?以原本MOS的架構為主體，只是在controlgate下方再增加一個Poly-Sigate.該gate作為電荷儲存用VtEraseState“1”ProgramState“0”Vt=-Q/CFCVGIDFlashMemoryCell(chargestoragetype)SourceOxideFloatinggateControlgateNOODrainFloatingGateA:nochargeB:chargestoredover-erase的问题当flashcellprogram成‘0’，floatgate是negativecharged；当flashcellerase之后，理想情况时floatgate是中性的。但是如果over-erase，floatgate会被positivecharged，后果是bitline上有比较大的leakagecurrent。对于Norflash，这会影响读出数据的正确性，原因是未选择的wordline上的cell有可能导通（因为over-erase导致cell的vth减小，容易导通），造成读出数据有误Write/erasecyclingEndurance的问题经过多次write/erasecycling后，program/erase的电压会向read电压靠拢，造成program<->read,erase<->read之间电压余量的减少。在测试的时候需要在其他测试之前做50xcycling。Dataretention的问题flashfloatgate存储的charge会因为leakagecurrent等多种因素减少，造成数据错误。测试一般使用burn-in，stress来测试该指标。CP的第一个insertion可以写入一种数据，对wafer进行baking（stress的一种，不加电只控制高温），然后在CP的第二个insertion读取数据检查retention的问题其他analogmodule的问题flash的program/erase/read都需要对controlgate，drain，source以及衬底施加不同电压，有些电压很高或者很低；在program/erase/read的时候需要时钟控制时间；对于bitline上的读出电流需要senseamplifier转成对应的‘0’/‘1’（MLC的话更复杂，需要根据导通电流大小转成多位二进数）。这些module都需要考虑故障类型，以及如何测试覆盖flasharray的测试flow确定简单来说flasharray的测试就是反复在不同电压（或者senseamplifier的不同基准电流）program，read和erase。program/read的pattern类型一般是all0，all1，checkboard，inv-checkboard...etc。但具体的flow需要和flashIP的vendor讨论确定，综合考虑故障覆盖率和测试时间问题如何做stress如果burning不能省略，stress可以在burning时候进行，减少其他测试insertion的测试时间。否则就需要和flash专家讨论如何定义合理stress电压，温度和时间，在正常测试insertion实现。如何测试retention在上一个insertion结束时写入一定数据，经过baking，在下一个insertion检查数据是否还在。以EN25QH32A-104HIP为例失效现象：写入数据后过段时间数据发生改变MicrosoftWord97-2003Îĵµ