关于开关管RC吸收回路

关于开关管R C 吸收回路 等效电路： ABCDCdCCossDLLRRVinVoCQVinVo L：变压器漏感及元器件引线电感等杂散电感之和。 R、C：吸收电阻电容。 D、Cd：整流二极管，Cd 为 D 的结电容。 Q、Coss：开关MOSFET，Coss 为 MOSFET 的结电容。 开关管由导通到截止时由于漏感L 的存在，要通过 R、C 将其能量吸收掉，否则会产生一个尖峰电压影响到元件的可靠性以及造成 EMI 问题。 整流二极管截止时还有个反向恢复电流的问题，但是把反向恢复电流最大时当作分析的起使点，那在实际分析时过程还是一样的，只是初始状态不同。 考虑整流二极管这个回路， 设流过 L 上的电流为 I1(t)： 流过结电容Cd的电流为 := IdCd L 2t2( )I1 t 流过吸收电容C的电流为 := Ic( )I1 tCd L 2t2( )I1 t 根据 Cd 两端电压等于R、C 两端电压得到微积分方程： ( )I1 tCd L 2t2( )I1 tRd( )I1 tCd L 2t2( )I1 ttCL t( )I1 t0 由于含有积分，方程求解不便，将其求导，得到3 阶微分方程： t( )I1 tCd L 3t3( )I1 tR( )I1 tCd L 2t2( )I1 tCL 2t2( )I1 t0 由于Cd 很小，可以将其忽略以简化分析，得到简化后的微分方程： R t( )I1 t( )I1 tCL 2t2( )I1 t0 考虑初始状态I1（0）=Io，I1’（0）=(Vin-Vo)/L，其中Io 为开关管关闭时电流的最大值， 应用拉普拉斯变换得到变换后的方程： := G()R IoL S IoVinVo CR C S1L C S2 这是个2阶系统，应当让其工作在过阻尼状态防止振荡，因此要保证极点有2个相异实根，得到 2LCR 。 应用拉普拉斯逆变换可以得到电流I1(t)的解： ( )I1 t12()R C IoR2 C24 L C Io2 C ()VinVoe /1 2 ()R CR2 C24 L CtL CR2 C24 L C 12()R C IoR2 C24 L C Io2 C ()VinVoe /1 2 ()R...