第 一 章 MOSFET 简 介 MOSFET 是 英 文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor 的缩 写 ， 译 成 中 文 是 “金 属 氧 化 物 半 导 体 场 效 应 管 ”。 它 是 由 金 属 、 氧 化 物 (SiO2或SiN)及 半 导 体 三 种 材 料 制 成 的 器 件 。 即 以 金 属 层 （ M） 的 栅 极 隔 着 氧 化层 （ O） 利 用 电 场 的 效 应 来 控 制 半 导 体 （ S） 场 效 应 晶 体 管 。 从 目 前 的 角 度 来 看MOSFET 的 命 名 ，事 实 上 会 给 人 得 到 错 误 的 印 象 。因 为MOSFET 里 代 表 “metal”的 第 一 个 字 母M 在 当 下 大 部 分 同 类 的 元 件 里是 不 存 在 的 。 早 期MOSFET 的 栅 极 （ gate electrode） 使 用 金 属 作 为 其 材料 ， 但 随 著 半 导 体 技 术 的 进 步 ， 现 代 的MOSFET 栅 极 早 已 用 多 晶 硅 取 代 了金 属 。 今 日 半 导 体 元 件 的 材 料 通 常 以 硅 （ silicon） 为 首 选 ， 但 是 也 有 些 半 导体 公 司 发 展 出 使 用 其 他 半 导 体 材 料 的 制 程 ， 当 中 最著 名 的 例如IBM 使 用 硅与锗（ germanium）的 混合物 所发 展 的 硅 锗制 程（ silicon-germanium process, SiGe process）。 而可惜的 是 很多 拥有 良好电 性的 半 导 体 材 料 ， 如砷化 镓（ gallium arsenide,GaAs）， 因 为 无法在 表 面长出 品质够好的 氧 化 层 ， 所以无法用 来 制 造MOSFET 元 件 。 MOS 场 效 应 管 从 沟道类 型上 看 ， 有N 沟道（ Channel） 和P 沟道之分 ，从 工作 方式上 又分 为 增强型（ Enhancement MOS ， 或EMOS） 和耗尽型（ Depletion MOS, 或DMOS） 两类 ， 于是 就有 了 四种MOSFET： ①增强型N 沟道MOS（ E-NMOSFET）； ②耗尽型N 沟道MOS（ D-NMOSFET）； ③增强型P 沟道MOS（ E-PMOSFET）； ④耗尽型P 沟道MOS（ D-PMOSFET） 第二章 开关特性和工作原理 一：MOSFET电路符号及开关特性 MOSFET可建模成一个处于O P E N或C L O S E D状态的简单的开关；它的动作与接通和关闭房间内的电灯开关非常类似，除了它...
