zl-芯片制作全过程芯 片的制造过程可概分为晶圆处理工序〔Wafer Fabrication〕、晶圆针测工序〔Wafer Probe〕、构装工序〔 Packaging〕、 测试 工序〔 Initial Test and Final Test 〕等几个步骤
其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段〔Front End 〕工序,而构装工序、测试 工序为后段〔 Back End〕工序
1、晶圆处理工序:本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件〔如晶体 管、电容、逻辑开关等〕 ,其处理程序通常与产品 种类和所使用的技术 有关,但一般根本步骤是先将晶圆适当清洗, 再在其外表进展氧化及化学气相沉积,然后进展涂膜、 曝光、 显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤,最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作
2、晶圆针测工序:经过上道工序后,晶圆上就形成了一个个的小格,即晶粒,一般情况下,为便于 测试 ,提高效率,同一片晶圆上制作同一品种、规格的产品 ;但也可根据需要制作几种不同品种、规格的产品
在用针测〔 Probe〕仪对每个晶粒检测其电气特性,并将不合格的晶粒标上记号后,将晶圆切开,分割成一颗颗单独的晶粒,再按其电气特性分类,装入不同的托盘中,不合格的晶粒那么舍弃
3、构装工序:就是将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上,并把晶粒上蚀刻出的一些引接线端与基座底部伸出的插脚连接,以作为与外界电路板连接之用,最后盖上塑胶盖板, 用胶水封死
其目的是用以保护晶粒防止受到机械刮伤或高温破坏
到此才算制成了一块集成电路芯片〔即我们在电脑里可以看到的那些黑色或褐色,两边或四边带有许多插脚或引线的矩形小块〕
4、测试 工序:芯片制造的最后一道工序为测试 ,其又可分为一般测试 和特殊 测试 ,前者是将封装后的芯片置于各种环境下测试 其电气特性,如消耗功率、运行速度、