晶体的电光效应电子版实验报告

基础物理实验报告 第1 页 晶体的电光效应 五、数据处理 1.研究 LN 单轴晶体的干涉： （1）单轴锥光干涉图样： 调节好实验设备，当 LN 晶体不加横向电压时，可以观察到如图现象，这是典型的汇聚偏振光穿过单轴晶体后形成的干涉图样。 （2）晶体双轴干涉图样： 打开晶体驱动电压，将状态开关打在直流状态，顺时针旋转电压调整旋钮，调整驱动电压，将会观察到图案由一个中心分裂为两个，这是典型的汇聚偏振光穿过双轴晶体后形成的干涉图样，它说明单轴晶体在电场的作用下变成了双轴晶体 2.动态法观察调制器性能： （1）实验现象： 当 V 1=143V 时，出现第一次倍频失真： 基础物理实验报告 第2 页 当V2=486V 时，信号波形失真最小，振幅最大（线性调制）： 当V3=832V 时，出现第二次倍频失真： （2）调制法测定LN 晶体的半波电压： 晶体基本物理量 d l  2 2 0n 5mm 30mm 632.8nm -1 26.81 0/mV 2.286 第一次倍频失真对应的电压V1=143V，第二次倍频失真对应的电压V3=832V。故318 3 21 4 36 8 9VVVVVV 。 由302 2()2dVnl得：1 22 230()6.4 11 02dn Vl 3.电光调制器T-V 工作曲线的测量： 基础物理实验报告 第3 页 （1）原始数据： 电压 V/V 功率 P/mV 电压 V/V 功率 P/mV 0 0.316 550 0.507 50 0.3 600 0.551 100 0.296 650 0.583 150 0.296 700 0.605 200 0.303 750 0.626 250 0.316 800 0.636 300 0.335 850 0.644 350 0.366 900 0.642 400 0.406 950 0.637 450 0.444 1000 0.627 500 0.474 依据数据作出电光调制器P-V 工作曲线： P-V曲线00.10.20.30.40.50.60.7010020030040050060070080090010001100V/VP/m V （2）极值法测定LN 晶体的半波电压： 基础物理实验报告 第4 页 从图中可以看到，V 在100~150V 时取最小值，在800~850V 时取最大值。分别在这两个区域内每隔 5V 测量一次，原始数据如下： 电压 V/V 功率 P/mV 电压 V/V 功率 P/mV 100 0.301 800 0.652 105 0.298 805 0.657 110 0.297 810 0.651 115 0.299 815 0.65 120 0.301 820 0.65 125 0.303 825 0.649 130 0.302 830 0.645 135 0.303 835 0.643 140 0.303 840 0.643 145 0.302 845 0.643 150 0.303 850 0.642 比较数据可以得出，极小值大致出现在11 1...