晶闸管和 IGBT 有什么区别？ 功率晶闸管（SCR）在过去相当一段时间里，几乎是能够承受高电压和大电流的唯一半导体器件。因此，针对 SCR 的不足，人们又研制开发出了门极关断晶闸管（GTO）。用 GTO晶闸管作为逆变器件取得了较为满意的结果，但其关断控制较易失败，仍较复杂，工作频率也不够高。几乎与此同时，电力晶体管（GTR）迅速发展了起来。 绝缘栅双极晶体管 IGBT 是 MOSFET 和 GTR 相结合的产物。其主体部分与晶体管相同，也有集电极和发射极，但驱动部分却和场效应晶体管相同，是绝缘栅结构。IGBT 的工作特点是，控制部分与场效应晶体管相同，控制信号为电压信号 UGE，输人阻抗很高，栅极电流 I G≈0，故驱动功率很小。而其主电路部分则与 GTR 相同，工作电流为集电极电流，工作频率可达20kHz。由IGBT 作为逆变器件的变频器载波频率一般都在 10kHz以上，故电动机的电流波形比较平滑，基本无电磁噪声。 虽然硅双极型及场控型功率器件的研究已趋成熟，但是它们的性能仍待提高和改善，而 1996年出现的集成门极换流晶闸管（IGCT）有迅速取代 GTO 的趋势。 集成门极换流晶闸管（IGCT）是将门极驱动电路与门极换流晶闸管 GCT 集成于一个整体形成的器件。门极换流晶闸管 GCT 是基于GTO 结构的一个新型电力半导体器件，它不仅与GTO 有相同的高阻断能力和低通态压降，而且有与 IGBT 相同的开关性能，兼有 GTO 和IGBT 之所长，是一种较理想的兆瓦级、中压开关器件。IGCT 芯片在不串不并的情况下，二电平逆变器容量 0.5～3MVA，三电平逆变器 1～6MVA；若反向二极管分离，不与 IGCT集成在一起，二电平逆变器容量可扩至 4. 5MVA，三电平扩至 9MVA。目前 IGCT 已经商品化，ABB 公司制造的 IGCT 产品的最高性能参数为 4.5kV／4kA，最高研制水平为6kV/4kA[1]。1998 年，日本三菱公司也开发了直径为 88mm 的 6kV/4kA 的 GCT 晶闸管。 随着电力电子器件的发展。特别是 VDMOS 管(垂直沟道 MOS 管，也可称功率场效应管)和IGBT(隔离栅双极晶体管)的发展和成熟，使得采用开关式发生器成为可能，实际上开关型发生器的发展是开关电源的成果之一，下面着重讨论晶体管开关型发生器． 开关型发生器的原理是通过调节开关管的占空比(或导道与截止时间)采控制输出的功率。由于晶体管在截止和饱和导通时的功耗很小，因此这种开关型发生器的特点是： (1)功耗低，效率高：开关管在开关瞬时的功耗较大，但时间...
