单相全桥逆变电路讲解VIP专享VIP免费

单相全桥逆变电路讲解首先介绍学习硬件电路的重要性和必要性重要性：找工作面试、考研面试和在以后工作中都是很好的基础，起到良好的作用。以此为基点，展开，引用李泽元老师的话：“现在知识面很宽很大，不可能面面具到，且搞的人很多，要找一个自已感兴趣的点，深入研究，动手实践做实验，在实验中发现问题和解决问题，然后再扩展。”首先介绍学习硬件电路的重要性和必要性必要性：这个电路的选取有代表性，由于桥式逆变电源在选择功率开关器件耐压要求可以稍低，并有较高的功率输出，现通常采用全桥式逆变电路来实现较大功率输出。单相三相全桥逆变电路应用范围广（各种开关电源如电源车载电源、航空电源、电信电源等；各种电机调速如空调、电焊机等；变频器；牵引传动等领域）。整体安排一、基础知识讲解（计划两至三个半天）开关管（MOSFET和IGBT）知识、电阻电容等基本知识、芯片管脚功能（IR2110、SG3525、LM339、MUR8100、IRFP450）主电路、控制电路的工作原理、参数的确定整体安排二、PROTEL介绍、原理图绘制（计划三个半天）两个图，主电路和控制电路（各1.5个半天）初步认识元器件封装，画原理图尽量选正确的封装三、生成PCB、手动布线（计划两个半天）两个PCB图，主电路和控制电路（各一个半天）认真核对元器件封装，检查PCB的各种规则整体安排四、焊板调试（计划两个半天）PCB画好后，制板需要一周左右的时间，可休息）在同学画的板当中选一个PCB去腐蚀调试需要两个半天或更长时间，调好为止，完成后将自已的作品带走。以上时间可随工作进展情况调节基础知识介绍（晶闸管）晶闸管:只能控制开，不能控制关基础知识介绍（晶闸管）基础知识介绍（MOSFET）MOSFET:可控开，可控关什么是MOSFET“MOSFET”是英文MetalOxideSemicoductorFieldEffectTransistor的缩写，译成中文是“金属氧化物半导体场效应管”。它是由金属、氧化物(SiO2或SiN)及半导体三种材料制成的器件。所谓功率MOSFET(PowerMOSFET)是指它能输出较大的工作电流(几安到几十安)，用于功率输出级的器件。基础知识介绍（MOSFET）MOSFET的结构基础知识介绍（MOSFET）MOSFET体内电容和二极管基础知识介绍（MOSFET）为什么要在MOS管前串接一个电阻?有什么作用?MOS导通瞬间,由于D、S近似短路,G、D间电容可看作变成G、S间电容,G极驱动电路立刻对其进行充电,这样就产生了驱动电压振荡现象.为了防止MOSFET产生震荡而串接的,一般情况下阻值较小,过高的振荡有可能击穿G,S间的氧化层.也可以接一个稳压管防止产生振荡基础知识介绍（MOSFET）为什么MOSFETG-S之间往往并联一个电阻,这个电阻选择依据什么?这个电阻的主要作用是防止静电损坏MOS，静电损伤是因为GS之间结电容太小导致(U=Q/C)也就是即使有很小的静电电荷就有可能产生很大的电压,使的MOSFET损坏，这个电阻提供寄生电容电荷泻放通道，这个电阻是需要的，并且很重要。一般情况，取个10k或5.1K已能适应大部分情况基础知识介绍（IGBT）IGBT:可控开，可控关基础知识介绍（IGBT）IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，（输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管）GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，即：驱动功率小和开关速度快,且饱和压降低和容量大的优点。基础知识介绍（IGBT）IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同IGBT的开关速度低于MOSFET，但明显高于GTR。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件基础知识介绍（电阻）电阻：导电体对电流的阻碍作用称为电阻，用符号R表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Ω、kΩ、MΩ表示。电阻器的分类一种分类:固定电阻器（R）、电位器（W）、敏感电阻器、贴片电阻器基础知识介绍（电阻）另一种...