单 晶 体 原 则 上 可 以 由 固 态 、 液 态 （ 熔 体 或 溶 液 ） 或 气 态 生 长 而 得 。 实 际上 人 工 晶 体 多 半 由 熔 体 达 到 一 定 的 过 冷 或 溶 液 达 到 一 定 的 过 饱 和 而 得 。 晶 体生 长 是 用 一 定 的 方 法 和 技 术 ， 使 单 晶 体 由 液 态 或 气 态 结 晶 成 长 。 由 液 态 结 晶又 可 以 分 成 熔 体 生 长 或 溶 液 生 长 两 大 类 。 熔 体 生 长 法 这 类 方 法 是 最 常 用 的 ， 主 要 有 提 拉 法 （ 又 称 丘 克 拉 斯 基法 ） 、 坩 埚 下 降 法 、 区 熔 法 、 焰 熔 法 （ 又 称 维 尔 纳 叶 法 ） 等 。 提 拉 法 此 法 是 由 熔 体 生 长 单 晶 的 一 项 最 主 要 的 方 法 ， 被 加 热 的 坩 埚 中盛 着 熔 融 的 料 ， 籽 晶 杆 带 着 籽 晶 由 上 而 下 插 入 熔 体 ， 由 于 固 液 界 面 附 近 的 熔体 维 持 一 定 的 过 冷 度 、 熔 体 沿 籽 晶 结 晶 ， 并 随 籽 晶 的 逐 渐 上 升 而 生 长 成 棒 状单 晶 。 坩 埚 可 以 由 高 频 感 应 或 电 阻 加 热 。 半 导 体 锗 、 硅 、 氧 化 物 单 晶 如 钇 铝石 榴 石 、 钆 镓 石 榴 石 、 铌 酸锂等 均用 此 方 法 生 长 而 得 。 应 用 此 方 法 时控制晶体 品质的 主 要 因素是 固 液 界 面 的 温度 梯度 、 生 长 速率、 晶 转速率以 及熔 体 的流体 效应 等 。 坩 埚 下 降 法 将盛 满材料 的 坩 埚 置放在竖直的 炉内,炉分 上 下 两 部分 ， 中间以 挡板隔开， 上 部温度 较高 ， 能使 坩 埚 内的 材料 维 持 熔 融 状 态 ， 下 部则 温度 较低， 当坩 埚 在炉内由 上 缓缓下 降 到 炉内下 部位置时， 材料 熔 体 就开始结晶 。 坩 埚 的 底部形状 多 半 是 尖锥形， 或 带 有 细颈,便于 优选籽 晶 ,也有 半 球形状 的 以 便于 籽 晶 生 长 。 晶 体 的 形状 与坩 埚 的 形状 是 一 致的 ， 大 的 碱卤化 合物及氟化 物 等 光学晶 体 是 用 这 种方 法 生 长 ...
