Wafer边缘芯片去除指导规范

DocNo.:QIII-E058-4上海凯虹科技电子有限公司ShanghaiKaihongElectronicCo・,Ltd文件履历表DocumentHistoryList図质量体系 QualitySystem□环境体系 EnvironmentSystem□管理性文件 ManagementDocument文件名称 Title：Discrete 芯片点测方法和低良芯片处理规范版本Rev执行日期ImplementDate申请人Applicant批准人Approvalby更改记录RevisionHistory02013-7-12许溢毛红光新文件建立上海凯虹电子有限公司ShanghaiKaihongElectronicCo・,Ltd.DocNo.:QIII-E058-4Rev.0Page:1of6上海凯虹电子有限公司ShanghaiKaihongElectronicCo・,Ltd.上海凯虹科技电子有限公司ShanghaiKaihongElectronicCo・,LtdDocNo.:QIII-E058-4Rev.0Page:2of6上海凯虹电子有限公司ShanghaiKaihongElectronicCo・,Ltd.DocNo.:QIII-E058-4Rev.0Page:3of6上海凯虹电子有限公司ShanghaiKaihongElectronicCo・,Ltd.上海凯虹科技电子有限公司ShanghaiKaihongElectronicCo・,Ltdb. 8inchGDPW>=10K,DieSize>0.3*0.3mm,做抽测并且良率达到标准的 Discrete 晶圆c. 6inchGDPW>=10K，DieSize>=0.2*0.2mm,做抽测且良率达到标准的 Discrete 晶圆d. 其他工程定义的无需做 CP 的 Discrete 晶圆4.2.2. DieBondMapping 同时也适用于特定的需要去除固定区域 Die 的晶圆。比如 OFABX30N35CNwafer，DieSize 是 0.395*0.395mm，GDPW 是 101K，正常生产是去除边缘 4mm。有时因 OFAB 工艺问题，会有部分批次的晶圆测试良率偏低，而经 CP 工程确认，不良 Die 全部集中在边缘 8mm 一圈范围内，则可为这些批次的晶圆做特殊的去除边缘 8mm 的Mapping,供 DieBond 使用，每张 Wafer 可节省 100%CP+Ink 的时间超 10 小时，即解决了 CP 产能的问题，又同时保证了 FinalTest 的良率。4.3.DieBond 机器设定晶圆边缘 4mm 范围不吸作为对晶圆边缘芯片去除方法的补充，适用于 8inchDieSizev0.3*0.3mm 和 6inchDieSizev0.2*0.2mm的晶圆。由于公司目前 Prober 能力的问题,DieSize 过小的晶圆无法做出 4mmEdgeDieMapping,只能通过 DieBond 机器设定边缘 4mm 范围不吸的方法来做。缺点是不吸范围的定位会因为划片（DieSaw）贴蓝膜的偏差而产生偏移，用自动贴膜机会好一些。5. WaferMapping 的创建和使用基于 Wafer 的特性，针对可使用 Mapping 做边缘芯片去除的晶圆，我们可采用 2 种不同的方法。5.1.CP 工程创建 4mmEdgeDieMapping，DieBond 站可直接调用。适用于正面有明显的特征点,可以用来做 Mapping 定位的晶圆。如下图：DocNo.:QIII-E058-4Rev.0Page:4of6上海凯虹电子有限公司ShanghaiKaihongElectronicCo・,Ltd.上海凯虹科技电子有限公司ShanghaiKaihongElectronicCo・,Ltd小凹AD0806AL817AXX等DocNo.:QIII-E058-4Rev.0Page:5of6上海凯虹电子有限公司ShanghaiKaihongElectronicCo・,Ltd.上海凯虹科技电子有限公司ShanghaiKaihongElectronicCo・,Ltd