IGBT管的万用表检测方法

IGBT 管的万用表检测方法 IGBT 管的好坏可用指针万用表的Rx lk 挡来检测，或用数字万用表的“二极管”挡来测量PN 结正向压降进行判断。检测前先将IGBT 管三只引脚短路放电，避免影响检测的准确度；然后用指针万用表的两枝表笔正反测G、e 两极及 G、c 两极的电阻，对于正常的IGBT 管（正常 G、C 两极与 G、c 两极间的正反向电阻均为无穷大；内含阻尼二极管的IGBT 管正常时，e、C 极间均有 4kΩ正向电阻），上述所测值均为无穷大；最后用指针万用表的红笔接 c 极，黑笔接 e 极，若所测值在 3．5kΩl左右，则所测管为含阻尼二极管的IGBT 管，若所测值在 50kΩ左右，则所测IGBT管内不含阻尼二极管。对于数字万用表，正常情况下，IGBT 管的C、C 极间正向压降约为 0．5V。 综上所述，内含阻尼二极管的IGBT 管检测示意图如图所示，表笔连接除图中所示外，其他连接检测的读数均为无穷大。 如果测得 IGBT 管三个引脚间电阻均很小，则说明该管已击穿损坏；若测得 IGBT 管三个引脚间电阻均为无穷大，说明该管已开路损坏。实际维修中 IGBT 管多为击穿损坏。 达林顿管的检测方法和参数 达林顿晶体管DT（Dar1ington Transistor）亦称复合晶体管。它采用复合过接方式，将两只或更多只晶体管的集电极连在一起，而将第一只晶体管的发射极直接耦合到第二只晶体管的基极，依次级连而成，最后引出 E、B、C 三个电极。 图 1 是由两只NPN 或PNP 型晶体管构成达林顿管的基本电路。假定达林顿管由 N 只晶体管（TI-Tn）组成，每只晶体管的放大系数分别这 hFE1、hFE2、hFEn。则总放大系数约等于各管放大系数的乘积： hFE≈hFE1·hFE2……hFEn 因此，达林顿管具有很高的放大系数，值可以达到几千倍，甚至几十万倍。利用它不仅能构成高增益放大器，还能提高驱动能力，获得大电流输出，构成达林顿功率开关管。在光电耦合器中，也有用达林顿管作为接收管的。达林顿管产品大致分成两类，一类是普通型，内部无保护电路，另一类则带有保护电路。下面分别介绍使用万用表检测这两类达林顿管的方法。 1．普通达林顿管的检测方法 普通达林顿管内部由两只或多只晶体管的集电极连接在一起复合而成，其基极B 与发射极E 之间包含多个发射结。检测时可使用万用表的R×1k 或R×10k 档来测量。 测量达林顿管各电极之间的正、反向电阻值。正常时，集电极C 与基极B 之间的正向电阻值（测NPN 管时，黑表笔接基极B；测PNP 管时，黑...