IGBT 驱 动 原 理 目 录 一 、 简 介 二 、 工 作 原 理 三 、 技 术 现 状 四 、 测 试 方 法 五 、 选 取 方 法 简 介 ： 绝 缘 栅 双 极 晶 体 管 IGBT 是 第 三 代 电 力 电 子 器 件 ， 安 全 工 作 ， 它 集 功 率 晶 体 管 GTR 和 功 率场 效 应 管MOSFET 的 优 点 于 一 身 ， 具 有 易 于 驱 动 、 峰 值 电 流 容 量 大 、 自 关 断 、 开 关 频 率 高 (10-40 kHz) 的 特 点 ， 是 目 前 发 展 最 为 迅 速 的 新 一 代 电 力 电 子 器 件 。 广 泛 应 用 于 小 体 积 、 高效 率 的 变 频 电 源 、 电 机 调 速 、 UPS 及 逆 变 焊 机 当 中 。 IGBT 的 驱 动 和 保 护 是 其 应 用 中 的 关键 技 术 。 1 IGBT 门 极 驱 动 要 求 1.1 栅 极 驱 动 电 压 因 IGBT 栅 极 - 发 射 极 阻 抗 大 ， 故 可 使 用 MOSFET 驱 动 技 术 进 行 驱 动 ， 但 IGBT 的 输入 电 容 较 MOSFET 大 ， 所 以 IGBT 的 驱 动 偏 压 应 比 MOSFET 驱 动 所 需 偏 压 强 。 图 1 是 一 个典 型的 例子 。 在 +20 ℃情况下， 实测 60 A ， 1200 V 以 下的 IGBT 开 通电 压 阀值 为 5 ～ 6 V ， 在实际使 用 时， 为 获得最 小 导通压 降， 应 选 取 Ugc ≥ (1.5 ～ 3)Uge(th) ， 当 Uge 增加时，导通时集 射 电 压 Uce 将减小 ，开 通损耗随之减小 ，但 在负载短路过程中 Uge 增加，集 电 极 电 流 Ic 也 将随之增加， 使 得 IGBT 能 承 受 短路损坏 的 脉 宽 变 窄 ， 因 此 Ugc 的 选 择不 应 太 大 ， 这 足 以 使 IGBT 完 全 饱 和 ， 同 时也 限 制 了 短路电 流 及 其 所 带 来 的 应 力 ( 在具 有短路工 作 过程的 设 备 中 ， 如 在电 机 中 使 用 IGBT 时， +Uge 在满 足 要 求 的 情况下尽 量 选 取 最小 值 ， 以 提 高 其 耐 短路能 力 ) 。 1.2 对 电 源 的 要 求 对 于 全 桥 或 半 桥 电 路 来 说 ，上 下 管 的 驱 动 电 源 要 相 互 隔 离 ，由 于 IGBT 是 电 压 ...
