三极管放大原理正解(转载)2009-07-0602:08随着科学技的发展,电子技术的应用几乎渗透到了人们生产生活的方方面面
晶体三极管作为电子技术中一个最为基本的常用器件,其原理对于学习电子技术的人自然应该是一个重点
三极管原理的关键是要说明以下三点:1、集电结为何会发生反偏导通并产生Ic,这看起来与二极管原理强调的PN结单向导电性相矛盾
2、放大状态下集电极电流 Ic为什么会只受控于电流 Ib而与电压无关;即:Ic与 Ib之间为什么存在着一个固定的放大倍数关系
虽然基区较薄,但只要Ib为零,则 Ic即为零
3、饱和状态下,Vc电位很弱的情况下,仍然会有反向大电流 Ic的产生
很多教科书对于这部分内容,在讲解方法上处理得并不适当
特别是针对初、中级学者的普及性教科书,大多采用了回避的方法,只给出结论却不讲原因
即使专业性很强的教科书,采用的讲解方法大多也存在有很值得商榷的问题
这些问题集中表现在讲解方法的切入角度不恰当,使讲解内容前后矛盾,甚至造成讲还不如不讲的效果,使初学者看后容易产生一头雾水的感觉
笔者根据多年的总结思考与教学实践,对于这部分内容摸索出了一个适合于自己教学的新讲解方法,并通过具体的教学实践收到了一定效果
虽然新的讲解方法肯定会有所欠缺,但本人还是怀着与同行共同探讨的愿望不揣冒昧把它写出来,以期能通过同行朋友的批评指正来加以完善
一、 传统讲法及问题:传统讲法一般分三步,以NPN 型为例(以下所有讨论皆以NPN型硅管为例),如示意图 A
发射区向基区注入电子;2
电子在基区的扩散与复合;3
集电区收集由基区扩散过来的电子
”(注1)问题1:这种讲解方法在第3步中,讲解集电极电流 Ic 的形成原因时,不是着重地从载流子的性质方面说明集电结的反偏导通,从而产生了Ic,而是不恰当地侧重强调了 Vc 的高电位作用,同时又强调基区的薄
这种强调很容易使人产生误解