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碎片内容
设计指标: AV>250,Ri≥ 10kΩ,RL=5
1kΩ, BW=50Hz~50kHz,D0
12VVrrrIVIrVrrIIIIbe1be1bbbbbe1 bb取依可推得其中, ,可求得选, T2 级静态工作点确定: 一般应取CQ2CQ1II ,CEQ2CEQ1VV 选 :CQ2CQ2BQ2CEQ21
2mA , 0
012mA , V4V>3VIII 5.偏置电路设计计算(设BEQ0
7VV) T1 级偏置电路计算: Rb1BQ1BQ1CC1010 0
07mA11 124V33IIVV取 故:CCBQ1b1b1124114
286kΩ0
07VVRI 取标称值120 kΩ 22Rb1b1b110
071200
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