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开关电源EMC经验知识

开关电源EMC经验知识_第1页
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开关电源EMC经验知识_第3页
谐波帽度〔电.压或电开关电源 EMC 经验二、开关电源 EMI 探讨2.1EMI 产生的根源第一、开关电源的最大缺点是因切换动作(TURN-0N 或 TURNOFF)产生杂讯电压为其杂讯源。因切换动作的波形为方波,而方波含有很多高次谐波。(dv/dt)第二由于开关电晶体的非线性及二极体的反向恢复特性,电流作快速的非线性变化引起杂讯。(di/dt)2.2EMI 的传播方式和途径EMI 干扰信号按其特性可分为共模信号(COMMONMODE)和差模信号(DIFFERENTIALMODE)。共模信号:干扰信号电流的在两条回路的导线上的电流方向相对大地是相同的信号,称为共模信号,见下左图;差模信号:干扰信号电流的在两条回路的导线上的电流方向相对大地是相反的信号,称为差模信号,见下右图。2.3 常用低通滤波结构的划分转折坝率,2.4 电源输入滤波器的设计242 滤波器共模部分设计人=插人损疑』*“=.曲间丄寸£Zp 已丿 Hi*>/±Tr-TLem-CyZp十简化的波特團•实械波特图極入损耗;.心=加绘孕+601«字.(7)』nJ4.-2&凰&*龙甩 L)約怜诵帆龙=f]+jj 烝阳匕:£口.&犹men41XIMHJIMAFilterfi 后 Noises 忖比•共模电感的绕制共模扼流圈中的负载电流产生的磁场相互抵销,因此磁芯不会饱和。•磁珠阻抗注意:共模电感和磁珠需要测量温升!!2.5 拓扑 EMI 分析举例3.Flyback 的高频等效模型Cds;MOSFET 的寄生等数电容,Cm:MosfetU®对散热屮杂麒电容.U5i变压器副边对其愜克组的漏感.二粗管的节电容口・Cd:输岀二^營负极对散热 A 的杂敞电容Lcp=变压老原边对苴他绕组的舷三、Flyback 架构 EMI 分析Ctx;变压器原边与畐哒之间的杂敲电留 0 燉热片对地的电容3.2Noise 源大的 di/dt 和 dv/dt 产生的地方,对 Flyback 架构来说,会产生这些变化的主要有:a)变压器 TX1;b)MOSFETQ1;c)输出二极管 D1;d)芯片的 RC 振荡;e)驱动信号线;3.2.1MOSFET 的 Noise如下图,Q1 上 Vds 的波形所示,主要来自三个方面:① Mosfet 开通、关断时,具有很宽的频谱含量,开关频率的谐波本身就是较强的干扰源。② 关断时的振荡 1 产生较强的干扰。③ 关断时的振荡 2 产生较强的干扰。开关管 Q1 关断,副边二...

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