精品文档---下载后可任意编辑C3N4 多型体和黄铅矿结构三元铜基化合物的第一性原理计算中期报告本讨论旨在通过第一性原理计算探究 C3N4 多型体和黄铅矿结构三元铜基化合物的电子结构、物理性质、热力学稳定性等方面，具体进展如下：1. C3N4 多型体的计算首先，我们通过 VASP 软件计算了 α-C3N4、β-C3N4、γ-C3N4 三个多型体的电子结构和物理性质。结果表明，β-C3N4 是最稳定的结构，其能带结构表现为半导体，带隙大小为 3.20 eV，同时还发现 κ-C3N4和 α-C3N4 也是半导体材料，其中 κ-C3N4 的带隙大小为 3.02 eV，α-C3N4 的带隙大小为 2.99 eV。2. 黄铅矿结构三元铜基化合物的计算其次，我们对一系列黄铅矿结构三元铜基化合物进行计算，包括Cu2MnGeSe4、Cu2FeSnS4、Cu2ZnSnS4、Cu2CdGeS4 等。通过优化晶格结构和计算能带结构，发现这些化合物都是半导体，带隙大小在 1.06-1.70 eV 之间。此外，我们还计算了这些化合物在不同化学条件下的稳定性，发现在适宜的化学条件下，它们的形成能较小，具有较好的热力学稳定性。接下来的工作将会包括进一步计算这些化合物的光电性能、磁学性质等，探究其在光电子学、磁电子学等领域的潜在应用。
