半导体FAB里基本的常识简介

CVD 晶圆制造厂非常昂贵的原因之一，是需要一个无尘室，为何需要无尘室 答：由于微小的粒子就能引起电子组件与电路的缺陷 何谓半导体? 答：半导体材料的电传特性介于良导体如金属(铜、铝，以及钨等)和绝缘和橡胶、塑料与干木头之间。最常用的半导体材料是硅及锗。半导体最重要的性质之一就是能够藉由一种叫做掺杂的步骤刻意加入某种杂质并应用电场来控制其之导电性。 常用的半导体材料为何 答：硅(Si)、锗(Ge)和砷化家(AsGa) 何谓VLSI 答：VLSI(Very Large Scale Integration)超大规模集成电路 在半导体工业中，作为绝缘层材料通常称什幺 答：介电质(Dielectric) 薄膜区机台主要的功能为何 答：沉积介电质层及金属层 何谓CVD(Chemical Vapor Dep.) 答：CVD 是一种利用气态的化学源材料在晶圆表面产生化学沉积的制程 CVD 分那几种? 答：PE-CVD(电浆增强型)及 Thermal-CVD(热耦式) 为什幺要用铝铜(AlCu)合金作导线? 答：良好的导体仅次于铜 介电材料的作用为何? 答：做为金属层之间的隔离 何谓PMD(Pre-Metal Dielectric) 答：称为金属沉积前的介电质层，其界于多晶硅与第一个金属层的介电质 何谓IMD(Inter-Metal Dielectric) 答：金属层间介电质层。 何谓USG? 答：未 掺杂的硅玻 璃 (Undoped Silicate Glass) 何谓FSG? 答：掺杂氟 的硅玻 璃 (Fluorinated Silicate Glass) 何谓BPSG? 答：掺杂硼 磷 的硅玻 璃 (Borophosphosilicate glass) 何谓TEOS? 答：Tetraethoxysilane 用途 为沉积二 氧 化硅 TEOS 在常温 时 是以何种形 态存 在? 答：液 体 二 氧 化硅其 K 值 为3.9 表示 何义 答：表示 二 氧 化硅的介电质常数 为真 空 的3.9 倍 氟 在 CVD 的工艺 上 ，有 何应用 答：作为清 洁 反 应室(Chamber)用之化学气体 简 述 Endpoint detector 之作用原理 . 答：clean 制程时 ,利用生成物 或 反 应物 浓 度 的变 化,因其特定 波 长 光 线被 detector 侦 测到 强 度 变 强 或 变 弱 ,当 超 过 某 一 设 定 强 度 时 ,即 定 义 制 程 结 束 而 该 点 为 endpoint. 机 台 使 用 的 管 件 材 料 主 要 有 那 些 ? 答 ： 有 不 锈 钢 制 (Stainless Steal),黄 铜 制 (Brass),塑 胶 制 (PVC),特 氟 隆 制 (Teflon)四 种 . 机 器 维 修 时 要 放 置 停...