单晶硅和多晶硅的区别

单晶硅和多晶硅的区别 单晶硅和多晶硅的区别是，当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则形成单晶硅。如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则形成多晶硅。多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如在力学性质、电学性质等方面，多晶硅均不如单晶硅。多晶硅可作为拉制单晶硅的原料。单晶硅可算得上是世界上最纯净的物质了，一般的半导体器件要求硅的纯度六个 9 以上。大规模集成电路的要求更高，硅的纯度必须达到九个 9。目前，人们已经能制造出纯度为十二个 9 的单晶硅。单晶硅是电子计算机、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少的基本材料。 多晶硅的生产工艺主要由高纯石英（经高温焦碳还原）→ 工业硅（酸洗）→ 硅粉（加HCL）→ SiHCL3（经过粗馏精馏）→ 高纯 SiHCL3（和 H2 反应CVD 工艺）→ 高纯多晶硅 国内的多晶硅单价主要看纯度，纯度在 9 个 9 的很少，价格应该在 2500 以上了！详细价格不定， 单晶硅生产工艺主要有两种，一种是直拉法，一种是区熔法。工艺的介绍也可以在网上找得到。 单晶硅片的单价是论片算，不会按吨算的，这里还要区分是太阳能级还是 IC 级，这里我只知道关于6 寸太阳能级硅片，每片价格在 53 元左右 单晶硅的制造方法和设备 1、一种单晶硅压力传感器制造方法及其结构 2、单晶硅生产装置 3、制造单晶硅的设备 4、单晶硅直径测定法及其设备 5、单晶硅直径控制法及其设备 【单晶硅】 英文名： Monocrystalline silicon 分子式： Si 硅的单晶体。具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。纯度要求达到 99.9999％，甚至达到 99.9999999％以上。用于制造半导体器件、太阳能电池等。用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。 熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。单晶硅具有准金属的物理性质，有较弱的导电性，其电导率随温度的升高而增加，有显著的半导电性。超纯的单晶硅是本征半导体。在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA 族元素，如硼可提高其导电的程度，而形成 p 型硅半导体；如掺入微量的ⅤA 族元素，如磷或砷也可提高导电程度，形成 n 型硅半导体。单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。单晶硅...