双向可控硅的节能设计及应用分析 来源：中国节能产业网 时间：2009-3-10 10:20:16 引言 1958 年，从美国通用电气公司研制成功第一个工业用可控硅开始，电能的变换和控制从旋转的变流机组、静止的离子变流器进入以电力半导体器件组成的变流器时代。可控硅分单向可控硅与双向可控硅。单向可控硅一般用于彩电的过流、过压保护电路。双向可控硅一般用于交流调节电路，如调光台灯及全自动洗衣机中的交流电源控制。 双向可控硅是在普通可控硅的基础上发展而成的，它不仅能代替两只反极性并联的可控硅，而且仅需一个触发电路，是目前比较理想的交流开关器件，一直为家电行业中主要的功率控制器件。近几年，随着半导体技术的发展，大功率双向可控硅不断涌现，并广泛应用在变流、变频领域，可控硅应用技术日益成熟。本文主要探讨广泛应用于家电行业的双向可控硅的设计及应用。 双向可控硅特点 双向可控硅可被认为是一对反并联连接的普通可控硅的集成，工作原理与普通单向可控硅相同。图 1 为双向可控硅的基本结构及其等效电路，它有两个主电极 T1 和T2，一个门极 G，门极使器件在主电极的正反两个方向均可触发导通，所以双向可控硅在第1 和第3 象限有对称的伏安特性。双向可控硅门极加正、负触发脉冲都能使管子触发导通，因此有四种触发方式。 图 1 双向可控硅结构及等效电路 双向可控硅应用 为正常使用双向可控硅，需定量掌握其主要参数，对双向可控硅进行适当选用并采取相应措施以达到各参数的要求。 耐压级别的选择：通常把 VDRM（断态重复峰值电压）和 VRRM（反向重复峰值电压）中较小的值标作该器件的额定电压。选用时，额定电压应为正常工作峰值电压的2~3 倍，作为允许的操作过电压裕量。 电流的确定：由于双向可控硅通常用在交流电路中，因此不用平均值而用有效值来表示它的额定电流值。由于可控硅的过载能力比一般电磁器件小，因而一般家电中选用可控硅的电流值为实际工作电流值的2~3 倍。同时，可控硅承受断态重复峰值电压VDRM 和反向重复峰值电压 VRRM 时的峰值电流应小于器件规定的IDRM 和 IRRM。 通态（峰值）电压 VTM 的选择：它是可控硅通以规定倍数额定电流时的瞬态峰值压降。为减少可控硅的热损耗，应尽可能选择 VTM 小的可控硅。 维持电流：IH 是维持可控硅维持通态所必需的最小主电流，它与结温有关，结温越高，则 IH 越小。 电压上升率的抵制：dv/dt 指的是在关断状态下电压的上升斜率，这是...
