反激式的RCD吸收回路

反激式开关电源 RCD 吸收电路的设计 对于一位开关电源工程师来说，在一对或多对相互对立的条件面前做出选择，那是常有的事。而我们今天讨论的这个话题就是一对相互对立的条件。（即要限制主MOS管最大反峰，又要RCD 吸收回路功耗最小） 在讨论前我们先做几个假设， ① 开关电源的工作频率范围:20~ 200KHZ； ② RCD中的二极管正向导通时间很短（一般为几十纳秒）； ③ 在调整 RCD回路前主变压器和 MOS管，输出线路的参数已经完全确定。 有了以上几个假设我们就可以先进行计算： 一﹑首先对MOS 管的V D进行分段： ⅰ，输入的直流电压VDC； ⅱ，次级反射初级的VOR； ⅲ，主MOS 管VD 余量VDS； ⅳ，RCD 吸收有效电压VRCD1。 二﹑对于以上主MOS 管V D的几部分进行计算： ⅰ，输入的直流电压V DC。 在计算VDC时，是依最高输入电压值为准。如宽电压应选择AC265V，即DC375V。 VDC＝VAC *√2 ⅱ，次级反射初级的V OR。 VOR是依在次级输出最高电压,整流二极管压降最大时计算的，如输出电压为：5.0V±5%（依Vo =5.25V计算），二极管VF为0.525V（此值是在1N5822 的资料中查找额定电流下 VF值）． VOR＝(VF +Vo)*Np/Ns ⅲ，主MOS 管V D的余量V DS． VDS是依MOS 管VD 的10%为最小值．如KA05H0165R 的VD=650 应选择DC65V． VDC＝VD* 10% ⅳ，RCD 吸收VRCD． MOS 管的VD 减去ⅰ，ⅲ三项就剩下 VRCD 的最大值。实际选取的VRCD 应为最大值的90%（这里主要是考虑到开关电源各个元件的分散性，温度漂移和时间飘移等因素的影响）。 VRCD＝(VD-VDC -VDS)*90% 注意：① VRCD 是计算出理论值，再通过实验进行调整，使得实际值与理论值相吻合． ② VRCD 必须大于VO R的1.3倍．（如果小于1.3倍，则主MOS管的VD值选择就太低了） ③ MOS 管VD 应当小于VD C的2倍．（如果大于2倍，则主MOS管的VD值就过大了） ④ 如果 VRCD 的实测值小于VOR的1.2倍，那么 RCD吸收回路就影响电源效率。 ⑤ VRCD 是由 VRCD1 和 VOR组成的 ⅴ，RC 时间常数τ 确定． τ 是依开关电源工作频率而定的，一般选择10~ 20 个开关电源周期。 三﹑试验调整V RCD值 首先假设一个 RC 参数，R=100K/RJ15, C=10nF/1KV。再上市电，应遵循先低压后高压，再由轻载到重载的原则。在试验时应当严密注视 RC元件上的电压值，务必使 V RCD小于计算值。如发现到达计算值，就应当立即断电，待将 R 值减小后，重复以...