扩散与固相反应 7 -1 试分析碳原子在面心立方和体心立方铁八面体空隙间跳跃情况,并以D= γr2Γ 形式写出其扩散系数(设点阵常数为a)
(式中r 为跃迁自由程;γ 为几何因子;Γ 为跃迁频率
) 7 -2 设有一种由等直径的A、 B 原子组成的置换型固溶体
该固溶体具有简单立方的晶体结构,点阵常数A= 0
3nm,且A 原子在固溶体中分布成直线变化,在0
12mm 距离内原子百分数由0
15 增至0
又设A 原子跃迁频率Γ = 10-6s-1,试求每秒内通过单位截面的A原子数
7 -3 制造晶体管的方法之一是将杂质原子扩散进入半导体材料如硅中
假如硅片厚度是0
1cm,在其中每107 个硅原子中含有一个磷原子,而在表面上是涂有每107 个硅原子中有400 个磷原子,计算浓度梯度(a)每cm 上原子百分数,( b)每cm 上单位体积的原子百分数
硅晶格常数为0
5431nm
7 -4 已知MgO 多晶材料中Mg2+离子本征扩散系数(Din)和非本征扩散系数(Dex)由下式给出 2524860000 249exp() cms2545001 2 10 exp() cms
inexDRTDRT ( a) 分别求出25℃和1000℃时,Mg2+的(Din)和(Dex)
( b) 试求在Mg2+的 lnD~ 1/T 图中,由非本征扩散转变为本征扩散的转折点温度
7 -5 从7-4 题所给出的Din 和 Dex 式中求MgO 晶体的肖特基缺陷形成焓
若欲使Mg2+在 MgO 中的扩散直至MgO 熔点2800℃时仍是非本征扩散,试求三价杂质离子应有什么样的浓度
7 -6 若认为晶界的扩散通道宽度一般为0
5nm, 试证明原子通过晶界扩散和晶格扩散的质量之比为910() ()gbvDdD
其中d 为晶粒平均直径;Dgb、 Dv 分别为晶界扩散系数和晶格扩散