模拟试卷一 一、填空(16 分) 1．半导体二极管的主要特性是___________ 。 2．三极管工作在放大区时，发射结为____ 偏置，集电结为_____偏置；工作在饱和区时发射结为___偏置，集电结为____偏置。 3．当输入信号频率为fL 和fH 时，放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍，或者是下降了__dB，此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为_____ 。 4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈；为降低放大电路输出电阻，应引入_____反馈。 5．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到_____，但这种功放有______失真。 6．在串联型稳压电路中，引入了——负反馈；为了正常稳压，调整管必须工作在____区域。 二、选择正确答案填空(24 分) 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是( )。 A．NPN 型硅管 B．NPN 型锗管 C．PNP 型硅管 D．PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图１所示，该管为( )。 A．P 沟道增强型MOS 管 B．P 沟道结型场效应管 C．N 沟道增强型MOS 管 D．N 沟道耗尽型MOS 管 3．在图示 2 差分放大电路中，若 uI = 20 mV，则电路的( )。 A．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为10 mV。 B．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为20 mV。 C．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为10 mV。 D．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为20 mV。 4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的( )。 A．输入电阻高 B．输出电阻低 C．共模抑制比大 D．电压放大倍数大 5．在图示电路中,Ri 为其输入电阻，RS 为常数，为使下限频率fL 降低，应( )。 A．减小C，减小Ri B．减小C，增大Ri C．增大C，减小Ri D．增大C，增大 Ri 6．如图所示复合管，已知V1 的 b1 = 30，V2 的 b2 = 50，则复合后的 b 约为( )。 A．1500 B．80 C．50 D．30 7．RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和( )。 A．基本共射放大电路 B．基本共集放大电路 C．反相比例运算电路 D．同相比例运算电路 8．已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示，该电路可能是( )。 A．积分运算电路 B．微分运算电路 C．过零比较器 D．滞回比较器 三、两级放大电路如图所示，已知三极管的参数：V1 的 b1 、r...
