模拟电子技术随堂练习

模拟电子技术 随堂练习 第1 章 常用半导体器件 1. N 型半导体的多数载流子是电子，因此它应( )。 A.带负电 B.带正电 C.不带电 参考答案：C 2. 将PN 结加适当的反向电压，则空间电荷区将( )。 A.变窄 B.变宽 C.不变 参考答案：B 3. 二极管的死区电压随环境温度的升高而( )。 A.增大 B.不变 C.减小 参考答案：C 4. 电路如图所示，设全部二极管均为理想元件，当输入电压ui=10sintV 时，输出电压最大值为10V 的电路是( )。 参考答案：C 5. 电路如图所示，D1，D2 均为理想二极管，设U1=10V，ui=40sinωtV,则输出电压uO 应为( )。 A.最大值为40V，最小值为0V B.最大值为40V，最小值为+10V C.最大值为10V，最小值为－40V D.最大值为10V，最小值为0V 参考答案：D 6. 稳压管的动态电阻 rZ 是指( )。 A.稳定电压与相应电流IZ 之比 B.稳压管端电压变化量UZ 与相应电流变化量IZ 的比值 C.稳压管正向压降与相应正向电流的比值 参考答案：B 7. 在放大电路中的晶体管，其电位最高的一个电极是( )。 A.PNP 管的集电极 B.PNP 管的发射极 C.NPN 管的发射极 D.NPN 管的基极 参考答案：B 8. 已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V，VB=-1.4V，VC=5V，则该管类型为( )。 A.NPN 型锗管 B.PNP 型锗管 C.NPN 型硅管 D.PNP 型硅管 参考答案：A 第2 章 基本放大电路 1. 如果改变晶体管基极电压的极性，使发射结由正偏导通改为反偏，则集电极电流 ( )。 A.反向 B.近似等于零 C.不变 D.增大 参考答案：B 2. 晶体管处于饱和状态时，集电结和发射结的偏置情况为( )。 A.发射结反偏，集电结正偏 B.发射结、集电结均反偏 C.发射结、集电结均正偏 D.发射结正偏、集电结反偏 参考答案：C 3. 晶体管的电流放大系数是指( )。 A.工作在饱和区时的电流放大系数 B.工作在放大区时的电流放大系数 C.工作在截止区时的电流放大系数 参考答案：B 4. 低频小功率晶体管的输入电阻 rbe 等于( )。 A. B. C. 参考答案：B 5. 某电路如下图所示，晶体管集电极接有电阻 RC，根据图中的数据判断该管处在( )。 A.截止状态 B.放大状态 C.饱和状态 参考答案：B 6. 某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则该场效应管为( )。 A.P 沟道耗尽型 MOS 管 B.N 沟道增强型 MOS 管 C.P 沟道增强型 MOS 管 D.N 沟道耗尽型 MOS 管 参考答案：B 7. 已知...