电子技术基础

《电子技术基础》课程学习指导书 第1 4 章 半导体二极管和三极管 一、选择题： 14.1 半导体的导电能力（ c ）。 (a) 与导体相同 (b) 与绝缘体相同 (c) 介乎导体和绝缘体之间 14.2 P 型半导体中空穴数量远比电子多得多，因此该半导体应（ c ）。 (a) 带正电 (b) 带负电 (c) 不带电 14.3 N 型半导体的多数载流子是电子，因此它应（ c ）。 (a) 带负电 (b) 带正电 (c) 不带电 14.4 将 PN 结加适当的反向电压，则空间电荷区将（ b ）。 (a) 变窄 (b) 变宽 (c) 不变 14.5 普通半导体二极管是由（ a ）。 (a)一个 PN 结组成 (b)两个 PN 结组成 (c)三个 PN 结组成 14.6 电路如图所示，直流电压 UI=10 V，稳压管的稳定电压 UZ=6 V，则限流电阻 R 上的压降 UR为（ c ）。 叮叮小文库 - 2 (a)10V (b)6V (c)4V (d)-4V RDZURuIUO+-+-+- 14.7 电路如图所示，已知uI=3V，则晶体管T此时工作在( b )。 (a)放大状态 (b)截止状态 (c)饱和状态 R1uIR2RCT10k40k-5V10V1k =50 二、填空题： 14.8 半 导 体二极 管的 主 要 特 点 是 具有单向导电性 。 14.9 理想二极管的正向电阻为 0 。 14.10 理想二极管的反向电阻为 无穷大 。 14.11 二极管导通的条件是加在二极管两端的电压是 正向电压大于 PN 结的死区电 。 14.12 N 型半导体中的多数载流子是自由电子。 叮叮小文库 - 3 14.13 P 型半导体中的多数载流子是 空穴 。 三、计算题 14.14 电路如图所示，二极管 D 为理想元件，US=5 V，求电压 uO。 RLDUSuO+-+-Uo=Us=5V 14.15 电路如图所示，二极管为理想元件，ui=3sint V，U=3V，当t=0 瞬间，求输出电压 uO。 uiRUDuO+-+-+-Uo=0v 14.16 电路如图所示，输入信号ui=6sint V 时，求二极管 D 承受的最高反向电压。 3V5kDuiuO+-+-+- U 最高反向电压=3v 叮叮小文库 - 4 14.17 电路如图所示，二极管为同一型号的理想元件，电阻R=4 k，电位uA=1V，uB=3V，计算电位uF 的值。 R+12VuAuBuFDDUF=UA=1v 14.18 用直流电压表测得工作在放大区的某晶体管三个极1，2，3 的电位分别为：V1=2V，V2=6V，V3=2.7V，试判别管子的三个管脚，并说明是硅管还是锗管？是PNP 型还是NPN 型？答：1 为发射极E 2 为集电极C 3 为基极B 硅管NPN 型 第1 5 章 基本放大电路 本章练习题： 一、选择题...