一 ： 1、 单晶硅晶胞常数为 0.543 nm,计算（100），（110），（111）晶面的面间距和原子密度 （ 110） 面 ： 面 间 距 ： 0.543nm ； 面 密 度 ： 6.783nm-2 (110)面 ： 面 间 距 ： 0.768nm ； 面 密 度 ： 4.748nm-2 （ 111） 面 ： 面 间 距 ： 0941nm ； 面 密 度 ： 7.801nm-2 2、 举例说明晶体缺陷主要类型 缺 陷 分 为 ： 点 缺 陷 、线缺 陷 、面 缺 陷 、体缺 陷 点 缺 陷 ： 肖特基缺 陷 和弗仑克尔缺 陷 ，反结构缺 陷 线缺 陷 ： 位错，分 为 刃行位错、螺旋位错 面 缺 陷 ： 层错，常见的有外延层错、热氧化层错 体缺 陷 ： 有空洞、夹杂物、沉淀等 3、 画出 PN 结能带图及载流子分布 PN结能带图： 载 流 子 分 布 ： 4、 简述光生伏特效应 1） 用 能 量 等 于 或 大 于 禁 带 宽 度 的 光 子 照 射 p-n结 ； 2） p、n区 都 产 生 电 子 —空穴对，产 生 非平衡载 流 子 ； 3） 非平衡载 流 子 破坏原来的 热平衡； 4） 非平衡载 流 子 在内建电 场作用 下，n区 空穴向 p区 扩散，p区 电 子 向 n区 扩散； 5） 若 p-n结 开路，在结 的 两边积累电 子 —空穴对，产 生 开路电 压。 5、 简述硅太阳能电池工作原理 太阳能 电 池发电 的 原理主要是半导体的 光 电 效应，硅太阳能 电 池的 基本材料为 P型单晶硅，上表面为 N+型区 ，构成一个 PN＋结 。顶区 表面有栅状金属电 极，硅片背面为金属底电 极。上下电 极分 别与 N＋区 和 P区 形成欧姆接触，整个上表面还均匀覆盖着减反射 膜。当入发射 光 照 在电 池表面时，光 子 穿过减反射 膜进入硅中，能 量 大 于 硅禁 带 宽 度 的 光 子 在 N+区 ，PN＋结 空间电 荷区 和 P区 中激发出光 生 电 子 ——空穴对。各区 中的 光 生 载 流 子 如果在复合前能 越过耗尽区 ，就对发光 电 压作出贡献。光 生 电 子 留于 N＋区 ，光 生 空穴留于 P区 ，在 pp0 nn0 np0 pn0 Xp Xn X p(x) n(x) PN＋ 结 的 两 侧 形 成 正 负 电 荷 的 积 累 ， 产 生 光 生 电 压 ， 此 为 光 生 伏 打 效 应 。 当 光 伏 电 池 两 端接 一 负 载 后 ， 光 电 池 就 从 P区 经 负 载 ...
