KNT—SPV01DDDDDDDDDDDDDD2011DDDDDDDDDDDDDDDDDDDDDDDDDDDD2011a3a第一部分光伏发电系统基础光伏电池半导体与 PN 结1．本征半导体纯净半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的一种物质，纯净的半导体称为本征半导体。制造半导体器件的常用半导体材料有硅（Si）、锗（Ge）和砷化镓（GaAs）等。本征硅半导体中的硅原子核最外层有四个价电子，硅晶体为共价键结构，硅原子最外层的价电子被共价键束缚，在低温下，这些共价键是完好的，本征硅半导体显示出绝缘体特性。当温度升高或受到光照等外界激发时，共价键中的某些价电子会获得能量，摆脱共价键束缚，成为可以自由运动的电子，在原来的共价键中留出空穴。这些空穴又会被邻近的共价键中的价电子填补，并在邻近的共价键中产生新的空穴，空穴运动是带负电荷的的价电子运动造成的，其效果是带正电荷的粒子在运动。可以认为，自由电子是带负电荷的载流子，空穴是带正电荷的载流子。因此，本征半导体中有两种载流子即电子和空穴，它们是成对出现的，称为电子空穴对，两种载流子都可以传导电流。通常本征半导体中的载流子浓度很低，导电能力差。当温度升高或受到光照时，本征半导体中的载流子浓度按指数规律增加，半导体的导电能力也显著增加。2.P 型半导体和 N 型半导体纯净半导体中加入了微量杂质，其导电能力会明显增强。在本征硅半导体中掺入微量三价元素，如硼（B）等，硼原子核的最外层有三个价电子，在形成共价键时，就产生了一个空穴，因此掺入微量三价元素后，本征硅半导体中的空穴浓度大大增加，半导体的导电能力明显提高，主要依靠空穴导电的半导体称为 P 型半导体。在 P 型半导体中，空穴浓度高于电子，空穴称为多数载流子，电子称为少数载流子。在本征硅半导体中掺入微量五价元素，如磷（P）等，磷原子核的最外层有五个价电子，在形成共价键时，就产生了一个自由电子，因此掺入微量五价元素后，本征硅半导体中的电子浓度大大增加，半导体的导电能力明显提高，主要依靠电子导电的半导体称为 N 型半导体。在 N 型半导体中，电子的浓度高于空穴，电子称为多数载流子，空穴称为少数载流子。无论是 P 型半导体还是 N 型半©㊀㊀㊀㊀㊀㊉㊉㊉㊉㊉㊉•㊉•㊉•怎导体，整个硅晶体中的正负电荷数量是相等的，是电中性的。3．PN 结采用特殊制造工艺使硅半导体的一边为 P 型半导体，另一边为 N 型半导体。由于在 P 型半导体中的空穴浓度高于电子浓度，而在 N 型半导体中电子...
