模拟电子技术复习资料总结第一章 半导体二极管一
半导体的基础知识1
半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅 Si、锗 Ge)
特性---光敏、热敏和掺杂特性
本征半导体----纯净的具有单晶体构造的半导体
两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子
杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体
体现的是半导体的掺杂特性
*P 型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）
*N 型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）
杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关
*体电阻---一般把杂质半导体自身的电阻称为体电阻
*转型---通过变化掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为此外一种杂质半导体
PN 结 * PN 结的接触电位差---硅材料约为 0
8V，锗材料约为 0
* PN 结的单向导电性---正偏导通，反偏截止
PN 结的伏安特性二
半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止
*二极管伏安特性----同ＰＮ结
*正向导通压降------硅管 0
7V，锗管 0
*死区电压------硅管 0
5V，锗管 0
分析措施------将二极管断开，分析二极管两端电位的高下: 若 V 阳 >V 阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V 阳 V 阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V 阳
