苏州大学模拟电子技术课程期中试卷共 5 页考试形式开卷 2024 年 11 月院系年级专业学号姓名成绩一、(8 分）什么是放大?放大的对象是什么？负载上获得的功率来自何处?答:放大指不失真地将微弱的电信号增强到人们所需要的数值。放大对象为电信号（电压、电流或功率）。负载上获得的功率来自直流电源的能量。二、（10 分）半导体材料包括那几个种类？分别举例说明.答:包括纯净半导体（或本征半导体）和掺杂半导体（或杂质半导体）。纯净半导体又包括元素半导体和化合物半导体。元素半导体，如硅(Si)、锗（Ge）等；化合物半导体，如砷化镓(GaAs）等.掺杂半导体又包括 N 型和 P 型半导体。N 型半导体：比如在硅材料中掺杂五价元素如磷（P)、砷（As）或锑（Sb)等；P 型半导体：比如在硅材料中掺杂三价元素如硼(B）或铟（In）等.三、(10 分）说明二极管 V—I 特性在正向导通区和截止区内三种简化模型的名称,分别用代数表达式和函数曲线的形式描述这三种简化模型。答:理想模型,恒压降模型和折线模型,分别如下图所示。四、（12 分）图示电路中二极管为理想二极管.（1）推断二极管是否导通;（2)画出等效电路图；（3）求输出电压 vO.解：（1）假设二极管 D 导通，则二极管可用短路线等效，其电流为 iD=（−9+6)∕3=−1mA，和假设矛盾,所以二极管实际截止;（2）；（3）vO=−6V。五、(10 分）BJT 共射输出特性曲线上有哪几个工作区域?写出 BJT 的电压电流在这些工作区域内分别具备的特征。答:① 截止区，vBE〈 Von，vCE〉vBE，iB=0,iC≈0。② 放大区，vBEVon，vCE〉vBE，iC≈βiB＋ICEO。 ③ 饱和区， vBEVon，vCEvBE，ΔiC≠βiB＋ICEO,vCE≈VCES.六、（8 分）BJT 的安全工作区由哪几个参数确定？答：集电极最大允许电流 ICM、集电极最大允许功率损耗 PCM、基极开路时集电极-发射极间的反向击穿电压 VBR（CEO）。七、(8 分）什么是放大电路的静态工作点 Q?为什么要设置 Q 点？答：指放大电路在仅有直流电源激励时候各个位置的直流电压电流 (也称作偏置量或偏置点）.设置静态工作点的目的是为了将放大管设置在合适的工作区域（即放大区)。八、（10 分）画出 NPN 型双极结型晶体管（BJT）的低频小信号电路模型，在模型中标注发射极、基极和集电极，以及沟通小信号量 vbe、ib、vce和 ic，并写出基−射极间沟通小信号电阻 rbe的估算表达式.答：参见教材 p.129 图 4。3。12，p。130 式（4。3.7b)。九 、...
