电力电子技术复习题 1第 1 章 电力电子器件1 。 电力电子器件一般工作在__ 开关 __ 状态。2 。 在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__ 通态损耗 __ ，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__ 开关损耗 __ 。3.电力电子器件组成的系统，一般由__ 控制电路 __ 、_ 驱动电路 _ 、 _ 主电路 _ 三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_ 保护电路 __ .4 。 按内部电子和空穴两种载流子参加导电的情况，电力电子器件可分为_ 单极 型器件 _ 、 _ 双极型器件 _ 、_ 复合型器件 _ 三类。5 。 电力二极管的工作特性可概括为_ 承受正向电压导通 , 承受反相电压截止 _ .6.电力二极管的主要类型有_ 普通二极管 _ 、_ 快恢复二极管 _ 、 _ 肖特基二极管 _ 。7 。 肖特基二极管的开关损耗_ 小于 _ 快恢复二极管的开关损耗。8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __ 正向电压门极有触发则导通、反向电压则 截止 __ .9.对同一晶闸管,维持电流 IH 与擎住电流 IL 在数值大小上有 IL__ 大于 __ IH 。10.晶闸管断态不重复电压 UDSM 与转折电压 Ubo 数值大小上应为，UDSM_ 大于 _ _Ubo。11 。 逆导晶闸管是将_ 二极管 _ 与晶闸管_ 反并联 _ (如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。12.GTO 的__ 多元集成 __ 结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。13.MOSFET 的漏极伏安特性中的三个区域与 GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_ 截止区 _ 、前者的饱和区对应后者的__ 放大区 __ 、前者的非饱和区对应后者的_ 饱和区 __ 。14.电力 MOSFET 的通态电阻具有__ 正 __ 温度系数。15.IGBT 的开启电压 UGE（th）随温度升高而_ 略有下降 __ ，开关速度__ 小于 __ 电力 MOSFET 。16 。 根据驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_ 电压驱动型 _ 和_ 电流驱动型 _ 两类.17 。 IGBT 的通态压降在 1/2 或 1/3 额定电流以下区段具有__ 负 ___ 温度系数， 在 1/2 或 1/3 额定电流以上区段具有__ 正 ___ 温度系数。18.在如下器件：电力二极管（Power Diode)、晶闸管(SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力 MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_ 电力二极管...
