一．推断题(答案填在表格中，对的打√，错的打×）(2’×10)12345678910（1)在半导体内部，只有电子是载流子。（2)在 N 型半导体中，多数载流子是空穴,少数载流子是自由电子.（3）一般来说，硅晶体二极管的死区电压(门槛电压）小子锗晶体二极管的死区电压。（4)在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。(5)晶体三极管出现饱和失真是由于静态电流 ICQ选得偏低。 （6）用万用表测某晶体二极管的正向电阻时,插在万用表标有“十”号插孔中的测试棒（通常是红色棒)所连接的二极管的管脚是二极管的正极，另一电极是负极。(7)三极管放大电路工作时,电路中同时存在直流重量和沟通重量；直流重量表示静态工作点，沟通重量表示信号的变化情况。（8)在单管放大电路中，若 VG不变，只要改变集电极电阻 Rc 的值就可改变集电极电流 Ic 的值。（9)两个放大器单独使用时，电压放大倍数分别为 Av1、Av2，这两个放大器连成两级放大器后,总的放大倍数为 Av,Av= Av1+Av2。（10)晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流微小；当反向电压大于反向击穿电压后，反向电流会迅速增大.二．选择题(2’×10）12345678910(1）当晶体二极管的 PN 结导通后，则参加导电的是（ ）。 A．少数载流子 B．多数载流子 C．既有少数载流子又有多数载流子（2）在共发射极单管低频电压放大电路中，输出电压应视为( ）。A．vo＝icRc B．vo ＝—Rcic C．vo ＝-IcRc(3)用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时,应把欧姆挡拔到（ ）。A．R×100Ω 或 R×1000Ω 挡 B．R×1Ω C．R×10KΩ 挡 （4）当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区，而且所受正向电压大于其门槛电压时，则晶体二极管相当于(）。A．大电阻 B．断开的开关 C．接通的开关（5）晶体三极管工作在饱和状态时,它的 IC将（ ）。A．随 IB增加而增加 B．随 IB增加而减小 C．与 IB无关，只决定于 RC和 VG（6）共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是( ）。A．同相位 B．相位差 90° C．相位差 180°(7）NPN 型三极管放大电路中，当集电极电流增大时,则晶体三极管（ )。A．基极电流不变； B．集电极对发射极电压 VCE下降； C．集电极对发射极电压 VCE上升(8）当晶体三极管发射结反偏时，则晶体三极管的集电极电流将( ）。A．增大 B．反向 C．中断（9）在基本放大电路中,基极电阻 RB的作用是( ）.A．放大电流 B．调节偏置电流...
