Silvaco TCAD 基CMOS 器件仿真毕业设计目录1 引言 11.1 MOSFET 的进展 11.2 TCAD 的进展 32 MOSFET 的基本构造与工作原理 42.1 MOSFET 的基本原理与构造 42.2 MOSFET 的基本工作原理 52.3 MOSFET 的特性 93 TCAD 工具的构成、仿真原理、仿真流程与仿真结果 113.1 TCAD 工具的结构与仿真原理 113.2 用 TCAD 工具仿真 NMOS 的步骤 113.3 TCAD 工具的仿真结果 154 结论 16谢辞 17参考文献 19附录 21正文：1 引言在当今时代，集成电路进展十分迅猛，其工艺的发杂度不断提高，开发新工艺面临着巨大的挑战。传统的开发新工艺的方法是工艺试验，而现在随着工艺开发的工序细化，流片周期变长，传统的方法已经不能适应现在的需要，这就需要寻找新的方法来解决这个问题。幸运的是随着计算机性能和计算机技术的进展，人们结合所学半导体理论与数值模拟技术，以计算机为平台进行工艺与器件性能的仿真。现如今仿真技术在工艺开发中已经取代了工艺试验的地位。采纳 TCAD 仿真方式来完成新工艺新技术的开发，突破了标准工艺的限制，能够模拟寻找最适宜的工艺来完成自己产品的设计。此外，TCAD 仿真能够对器件各种性能之间存在的矛盾进行同时优化，能够在最短的时间以最小的代价设计出性能符合要求的半导体器件。进行新工艺的开发，需要设计很多方面的容，如：进行器件性能与结构的优化、对器件进行模型化、设计进行的工艺流程、提取器件模型的参数、制定设计规则等等。为了设计出质量高且价格低廉的工艺模块，要有一个整体的设计目标，以它为出发点将工艺开发过程的各个阶段进行联系，本着简单易造的准则，系统地进行设计的优化。TCAD 支持器件设计、器件模型化和工艺设计优化，使得设计思想可以实现全面的验证。TCAD 设计开发模拟是在虚拟环境下进行的，缩短了开发周期，降低了开发成本，是一条高效低成本的进行新工艺讨论开发的途径。TCAD 软件拥有 FAB 虚拟系统，借助它可以完成器件的设计、器件模型的参数提取和其他各个工艺开发的步骤。TCAD 的应用使得开发新工艺不用受到冗长的工艺制造周期和资金投入的限制，开发条件简单快捷，使得无生产线的公司也有机会参加到工艺开发中来，根据特定特点为自己的产品进行量身定做特定的工艺。在实际生产中，TCAD 还可用来进行工艺监测，可以发现工艺过程中出现的问题，提高产品的成品率。1.1 MOSFET 的进展自从晶体管发明以来，电子器件与社会得到了迅猛的进展...
