Silvaco TCAD 基CMOS 器件仿真毕业设计目录1 引言 11
1 MOSFET 的进展 11
2 TCAD 的进展 32 MOSFET 的基本构造与工作原理 42
1 MOSFET 的基本原理与构造 42
2 MOSFET 的基本工作原理 52
3 MOSFET 的特性 93 TCAD 工具的构成、仿真原理、仿真流程与仿真结果 113
1 TCAD 工具的结构与仿真原理 113
2 用 TCAD 工具仿真 NMOS 的步骤 113
3 TCAD 工具的仿真结果 154 结论 16谢辞 17参考文献 19附录 21正文：1 引言在当今时代，集成电路进展十分迅猛，其工艺的发杂度不断提高，开发新工艺面临着巨大的挑战
传统的开发新工艺的方法是工艺试验，而现在随着工艺开发的工序细化，流片周期变长，传统的方法已经不能适应现在的需要，这就需要寻找新的方法来解决这个问题
幸运的是随着计算机性能和计算机技术的进展，人们结合所学半导体理论与数值模拟技术，以计算机为平台进行工艺与器件性能的仿真
现如今仿真技术在工艺开发中已经取代了工艺试验的地位
采纳 TCAD 仿真方式来完成新工艺新技术的开发，突破了标准工艺的限制，能够模拟寻找最适宜的工艺来完成自己产品的设计
此外，TCAD 仿真能够对器件各种性能之间存在的矛盾进行同时优化，能够在最短的时间以最小的代价设计出性能符合要求的半导体器件
进行新工艺的开发，需要设计很多方面的容，如：进行器件性能与结构的优化、对器件进行模型化、设计进行的工艺流程、提取器件模型的参数、制定设计规则等等
为了设计出质量高且价格低廉的工艺模块，要有一个整体的设计目标，以它为出发点将工艺开发过程的各个阶段进行联系，本着简单易造的准则，系统地进行设计的优化
TCAD 支持器件设计、器件模型化和工艺设计优化，使得设计思想可以实现全面的验证
TCAD 设计开发模拟是在虚
