silvaco TCAD 基CMOS 器件仿真毕业设计目录1 引言 11.1 MOSFET 的进展 11.2 TCAD 的进展 32 MOSFET 的基本构造与工作原理 42...
半导体工艺学silvaco仿真实验报告
实验2 PN 结二极管特性仿真 1、实验内容 （1）PN 结穿通二极管正向 I-V 特性、反向击穿特性、反向恢复特性等仿真。 （2）结构和参...
集成电路设计中的EDA 工具应用教程 §4 工艺及器件仿真工具silvaco-TCAD 1 4.2.6 解决方案指定命令组 在解决方案指定命令组中，我们...
§4 工艺及器件仿真工具 silvaco-TCAD 本 章 将 向 读 者 介 绍 如 何 使 用 silvaco 公 司 的 TCAD 工 具 ATHENA ...
4.2 使用ATLAS 的NMOS 器件仿真 4.2.1 ATLAS概述 ATLAS 是一个基于物理规律的二维器件仿真工具，用于模拟特定半导体结构的电学特性...
4.1.16 源 /漏极注入和退火 要形成NMOS 器件的重掺杂源/漏极，就需要进行砷注入。砷的浓度为1535 10 cm ，注入能量为50KeV。为...
silvaco傻瓜教程—张林—长安大学—2018.06
4.1.10 多晶硅栅的淀积 淀积可以用来产生多层结构。共形淀积是最简单的淀积方式，并且在各种淀积层形状要求不是非常严格的情况下使用。NM...
2009 级微电子工艺期末试题 设计报告 报告题目： 硅外延NPN 型小功率三极管 学 院： 理学院 专 业： 微电子与固体电子学 学 ...
1第二篇半导体工艺及器件仿真软件silvaco操作指南主要介绍了半导体器件及工艺仿真软件silvaco的基本使用。书中通过例程引导学习工艺仿真模...
实验2PN结二极管特性仿真1、实验内容（1）PN结穿通二极管正向I-V特性、反向击穿特性、反向恢复特性等仿真。（2）结构和参数：PN结穿通二极...
