集成电路设计中的EDA 工具应用教程 §4 工艺及器件仿真工具SILVACO-TCAD 1 4.2.6 解决方案指定命令组 在解决方案指定命令组中，我们需要使用Log语句来输出保存包含端口特性计算结果的记录文件，用Solving语句来对不同偏置条件进行求解，以及用Loading语句来加载结果文件。这些语句都可以通过 Deckbuild：ATLAS Test菜单来完成。 1 Vds=0.1V 时，获得 Id~Vgs 曲线 下面我们要在 NMOS结构中，当 Vds=0.1V时，获得简单的Id~Vgs曲线。具体步骤如下： a. 在 ATLAS Commands菜单中，依次选择 Solutions和 Solve…项。Deckbuild：ATLAS Test菜单将会出现，如图 4.62所示；点击 Prop…键以调用ATLAS Solve properties菜单；在 Log file栏中将文件名改为“nmos_”，如图 4.63所示。完成以后点击 OK； 图 4.62 Deckbuild：ATLAS Test菜单 图 4.63 ATLAS Solve properties菜单 b. 将鼠标移至 Worksheet区域，右击鼠标并选择 Add new row，如图 4.64所示； c. 一个新行被添加到了 Worksheet中，如图 4.65所示； d. 将鼠标移至 gate参数上，右击鼠标。会出现一个电极名的列表。选择 drain，如图4.66所示； e. 点击 Initial Bias栏下的值并将其值改为 0.1，然后点击 WRITE键； f. 接下来，再将鼠标移至 Worksheet区域，右击鼠标并选择 Add new row； g. 这样就在 drain行下又添加了一个新行，如图 4.67所示； h. 在 gate行中，将鼠标移至 CONST类型上，右击鼠标并选择 VAR1。分别将 Final Bias和 Delta的值改为 3.3和 0.1，如图 4.68所示； 集成电路设计中的EDA 工具应用教程 §4 工艺及器件仿真工具SILVACO-TCAD 2 图 4.64 添加新行 图 4.65 添加的新行 图 4.66 将 gate改为 drain 图 4.67 添加另一新行 集成电路设计中的EDA 工具应用教程 §4 工艺及器件仿真工具SILVACO-TCAD 3 图 4.68 设置栅极偏置参数 i. 点击 WRITE键，如下语句将会出现在 DECKBUILD文本窗口中，如图 4.69所示。 Solve init Solve vdrain=0.1 Log outf=nmos1_0.log Solve name=gate vgate=0 vfinal=3.3 vstep=0.1 图 4.69 Vds=0.1V时模拟 Id~Vgs曲线所用的语句 上述语句以 Solve init语句开始。这条语句提供了一个初始猜想，即零偏置（或热平衡）情况下的电势和载流子浓度。 在得到了零偏置解以后，第二条语句即 Solve vdrain=0.1将会模拟漏极...
