4.1.10 多晶硅栅的淀积 淀积可以用来产生多层结构。共形淀积是最简单的淀积方式，并且在各种淀积层形状要求不是非常严格的情况下使用。NMOS 工艺中，多晶硅层的厚度约为2000 Å ，因此可以使用共形多晶硅淀积来完成。为了完成共形淀积，从ATHENA Commands 菜单中依次选择Process、Deposit 和 Deposit… 菜单项。ATHENA Deposit 菜单如图 4.30 所示； a. 在Deposit 菜单中，淀积类型默认为Conformal；在Material 菜单中选择Polysilicon，并将它的厚度值设为0.2；在Grid specification 参数中，点击 Total number of layers 并将其值设为10。（在一个淀积层中设定几个网格层通常是非常有用的。在这里，我们需要10 个网格层用来仿真杂质在多晶硅层中的传输。）在Comment 一栏中添加注释 Conformal Polysilicon Deposition，并点击 WRITE 键； b. 下面这几行将会出现在文本窗口中： #Conformal Polysilicon Deposition 图 4.30 ATHENA 淀积菜单 deposit polysilicon thick=0.2 divisions=10 c. 点击 DECKBUILD 控制栏上的Cont 键继续进行 ATHENA 仿真； d. 还是通过 DECKBUILD Tools 菜单的Plot 和 Plot structure… 来绘制当前结构图。创建后的三层结构如图 4.31 所示。 图4.31 多晶硅层的共形淀积 4.1.11 简单的几何图形刻蚀 接下来就是多晶硅的栅极定义。这里我们将多晶硅栅极的左边边缘定为x=0.35μm，中心定为x=0.6μm。因此，多晶硅应从左边x=0.35μm 开始进行刻蚀，如图4.32 所示。 图4.32 ATHENA Etch菜单 a. 在DECKBUILD Commands 菜单中依次选择Process、Etch 和 Etch… 。出现 ATHENA Etch 菜单；在Etch 菜单的Geometrical ty pe 一栏中选择Left；在Material 一栏中选择Poly silicon；将Etch location 一栏的值设为0.35；在Comment 栏中输入注释 Poly Definition；点击 WRITE 键产生如下语句： #Poly Definition etch polysilicon left p1.x=0.35 b. 点击DECKBUILD 控制栏上的Cont 键以继续进行ATHENA 仿真，并将刻蚀结构绘制出来，如图4.33 所示； 图4.33 刻蚀多晶硅以形成栅极 4.1.12 多晶硅氧化 接下来需要演示的是离子注入之前对多晶硅进行的氧化处理。具体方法是900C，1 个大气压下进行3 分钟的湿氧化。因为氧化过程要在非平面且未经破坏的多晶硅上进行，我们要使用被称为 fermi 和 compress 的两种方法。Fe...
